Издателям
Вышедшие номера
Термостимулированная эмиссия электронов в параэлектрической фазе кристалла триглицинсульфата, нагреваемого с большой скоростью
Сидоркин А.А.1, Сидоркин А.С.1, Рогазинская О.В.1, Миловидова С.Д.1
1Воронежский государственный университет, Воронеж, Россия
Email: sidorkin@dom.vsu.ru
Поступила в редакцию: 15 мая 2001 г.
Выставление онлайн: 20 января 2002 г.

Экспериментально зарегистрированна термостимулированная эмиссия электронов в сегнетоэлектрическом кристалле ТГС в температурной области, превышающей точку Кюри на 10--15 K. Исследованы случаи различной скорости q=dT/dt линейного нагрева образцов номинально чистого кристалла ТГС и кристалла ТГС с примесью хрома. Показано, что увеличение скорости нагрева приводит к возрастанию плотности эмиссионного тока во всей исследуемой области температур. Температура возникновения эмиссии зависит от скорости q незначительно. В то же время температура исчезновения эмиссии монотонно увеличивается с ростом q. При q меньше 1 K/min она локализована ниже точки Кюри. При q=4-5 K/min указанная температура достигает 60-65oC, т. е. превышает точку Кюри больше чем на 15 градусов. В кристалле ТГС с примесью хрома температура возникновения эмиссии близка к случаю чистого ТГС. При этом интервал затягивания эмиссии в парафазу здесь примерно в 2 раза меньше, чем для случая чистого ТГС, нагреваемого с той же скоростью. Исчезновение эмиссии ниже точки Кюри в сегнетоэлектрической фазе при малых q объясняется полным освобождением электронных ловушек при медленном нагревании. Появление эмиссии при температурах выше точки Кюри связывается с сохранением в парафазе в результате медленной релаксации исходного фактора, вызывающего эмиссию, --- зарядов, экранирующих спонтанную поляризацию. Работа выполнена при поддержке гранта Нидерландской организации по научным исследованиям (NWO) "Nonlinear Dielectric Films for Nanotechnology" и гранта Российского фонда фундаментальных исследований N 01-02-16828.
  • А.С. Сидоркин, А.М. Косцов, В.С. Зальцберг. ФТТ 27, 7, 2200 (1985)
  • А.М. Косцов, А.С. Сидоркин, В.С. Зальцберг, С.П. Грибков. ФТТ 24, 3436 (1982)
  • А.А. Сидоркин, С.Д. Миловидова, О.В. Рогазинская, А.С. Сидоркин. ФТТ 42, 4, 725 (2000)
  • А.С. Сидоркин, О.В. Рогазинская, С.Д. Миловидова, Н.Ю. Пономарева, А.А. Сидоркин. Изв. РАН. Сер. физ. 64, 9, 1763 (2000)
  • М.С. Цедрик. Физические свойства кристаллов семейства триглицинсульфата. Наука и техника, Минск (1986). 216 с
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.