Показано, что зависимость скорости доменных стенок V от действующего магнитного поля H в висмутсодержащих монокристаллических пленках ферритов-гранатов с ромбической магнитной анизотропией, включающая начальный "линейный" участок и участок "насыщения", в действительности имеет более сложный вид, который находит объяснение в рамках модели движения доменных стенок с излучением спиновых волн.
В.В. Рандошкин, В.И. Чани, М.В. Логунов, Ю.Н. Сажин, В.П. Клин, Б.П. Нам, А.Г. Соловьев, А.Я. Червоненкис. Письма в ЖТФ 15, 14, 42 (1989)
V.V. Randoshkin. Thin Films and Beam-Solid Interaction. 4, 267 (1990)
В.В. Рандошкин, М.В. Логунов, Ю.Н. Сажин. ФТТ 32, 5, 1456 (1990)
В.В. Рандошкин. Тр. ИОФАН 35, 49 (1992)
В.В. Рандошкин, М.В. Логунов, Ю.Н. Сажин. Новые магнитные материалы микроэлектроники. Тез. докл. XIV Всерос. школы-семинара. М. (1994). Ч. 2. С. 32
В.В. Рандошкин, М.В. Логунов, Ю.Н. Сажин. ЖТФ 66, 2, 201 (1996)
А. Малоземов, Дж. Слонзуски. Доменные стенки в материалах с цилиндрическими магнитными доменами. Пер. с англ. Мир., М. (1982). 382 с
В.В. Рандошкин, М.В. Логунов, В.Б. Сигачев. ПТЭ 5, 247 (1985)
В.В. Рандошкин. ПТЭ 2, 155 (1995)
И.Е. Дикштейн, Ф.В. Лисовский, Е.Г. Мансветова, Е.С. Чижик. Препринт ИРЭ АН СССР N 5. М. (1988). 28 с
И.Е. Дикштейн, Ф.В. Лисовский, Е.Г. Мансветова, В.В. Тарасенко. Микроэлектроника 13, 4 337 (1988)
И.Е. Дикштейн, Ф.В. Лисовский, Е.Г. Мансветова, Е.С. Чижик. Новые магнитные материлы микроэлектроники. Тез. докл. XI Всерос. школы-семинара. Ташкент (1988). С. 110
Ф.В. Лисовский, А.С. Логгинов, Г.А. Непокойчицкий, Т.В. Розанова. Письма в ЖЭТФ 45, 7, 339 (1987)
В.В. Рандошкин. Письма в ЖТФ 21, 23, 74 (1995)
В.В. Рандошкин, Ю.Н. Сажин. ЖТФ 66, 8, 83 (1996)
В.В. Рандошкин. ФТТ 39, 8, 1421 (1997)
Е.Н. Ильичева, А.В. Дубова, В.К. Петерсон, Ю.Н. Федюнин, А.Г. Шишков. ФТТ 35, 5, 1167 (1993)
Е.Н. Ильичева, Ю.Н. Федюнин, А.Г. Шишков. А.В. Клушина. ЖТФ 63, 11, 143 (1993)
В.В. Рандошкин, Л.П. Иванов, Р.В. Телеснин. ЖЭТФ 75, 3, 960 (1978)