C помощью обычной и высокоразрешающей просвечивающей электронной микроскопии исследованы структурные дефекты в слоях кремния, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии и легированных эрбием до концентрации [Er]=4· 1019 cm-3. Основными типами протяженных структурных дефектов при [Er]>=q2· 1019 cm-3 являются преципитаты Er округлой формы размером 4--25 nm, располагающиеся на границе эпитаксиальный слой--подложка, и пластинчатые выделения ErSi2, залегающие в плоскостях \111\ и распространяющиеся по всей толщине слоя. Работа частично поддержана INTAS (грант N 2001-0194), Российским фондом фундаментальных исследований (гранты N 02-02-16374 и 04-02-16935) и Отделением физических наук РАН в рамках научной программы "Новые материалы и структуры".
R. Serna, J.H. Shin, M. Lohmeier, E. Vlieg, A. Polman, P.F.A. Alkemade. J. Appl. Phys. 79, 5, 2658 (1996)
J. Stimmer, A. Reittinger, J.F. Nutzel, G. Absreiter, H.P. Holzbrechter, Ch. Buchal. Appl. Phys. Lett. 68, 23, 3290 (1996)
W.-X. Ni, K.B. Joelsson, C.-X. Du, I.A. Buyanova, G. Pozina, W.M. Chen, G.V. Hansson, B. Monemar, J. Cardenas, B.G. Svensson. Appl. Phys. Lett. 70, 25, 3383 (1997)
M. Markmann, E. Neufeld, A. Sticht, K. Brunner, G. Abstreiter. Appl. Phys. Lett. 75, 17, 2584 (1999)
C.-X. Du, W.-X. Ni, K.B. Joelsson, F. Duteil, G.V. Hansson. Opt. Mater. 14, 259 (2000)
H. Efeoglu, J.H. Evans, T.E. Jackman, B. Hamilton, D.C. Honghton, J.M. Langer, A.R. Peaker, D. Perovic, I. Poole, N. Ravel, P. Hemment, C.W. Chen. Semicond. Sci. Technol. 8, 236 (1993)
Н.А. Соболев, Д.В. Денисов, А.М. Емельянов, Е.И. Шек, Б.Я. Бер, А.П. Коварский, В.И. Сахаров, И.Т. Серенков, В.М. Устинов, Г.Э. Цирлин, Т.В. Котерева. ФТТ 47, 1, 106 (2005)
Н.А. Соболев, Д.В. Денисов, А.М. Емельянов, Е.И. Шек, Е.О. Паршин. ФТТ 47, 1, 110 (2005)