Издателям
Вышедшие номера
Фотоэлектрические и рентгендозиметрические свойства монокристаллов TlGaS2<Yb>
Мустафаева С.Н.1
1Институт физики Национальной академии наук Азербайджана, AZ-- Баку, Азербайджан
Email: itpcht@itpcht.ab.az
Поступила в редакцию: 25 ноября 2004 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2005 г.

В результате изучения фотоэлектрических свойств монокристаллов TlGa1-xYbxS2 (x=0,0.01) установлено, что частичное замещение галлия иттербием приводит к увеличению удельного сопротивления полученных образцов, смещению максимума собственного фототока в длинноволновую область спектра, существенному расширению области спектральной чувствительности и увеличению амплитуды примесного фототока. Изучение рентгендозиметрических характеристик монокристаллов TlGa1-xYbxS2 показало, что в результате частичного замещения Ga->Yb в TlGaS2 коэффициент рентгеночувствительности заметно увеличивается, а рентген-амперные характеристики Delta IE,0~ Ealpha стремятся к линейности (alpha=1) в области малых интенсивностей (E, R/min) мягкого рентгеновского излучения. В области высоких интенсивностей жесткого рентгеновского излучения alpha->0.5 как для исходного, так и для легированного иттербием монокристалла TlGaS2.
  • С.Н. Мустафаева, В.А. Алиев, М.М. Асадов. ФТТ 40, 4, 612 (1998)
  • С.Н. Мустафаева. ФТТ 46, 6, 979 (2004)
  • А.У. Шелег, К.В. Иодковская, Н.Ф. Курилович. ФТТ 45, 1, 68 (2003)
  • С.Н. Мустафаева, Э.М. Керимова, Н.З. Гасанов. ФТТ 43, 3, 427 (2001)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.