Приведены результате исследования переходной вольт-амперной характеристики негисторной барьерной гетероструктуры аморфный GaTe3--кристаллический n-Si в условиях проявления отрицательного дифференциального сопротивления. Определены основные параметры (радиус поперечного сечения, плотность тока и удельное сопротивление) области повышенной плотности (шнура) тока в аморфном слое данной структуры. Они сопоставлены с соответствующими параметрами токового шнура в контрольной безбарьерной структуре C--аморфный GaTe3--C. Показано, что электропроводность области шнурования тока исследованной гетероструктуры в указанных выше условиях определяется в основном процессами, происходящими в ее кристаллическом компоненте.
Petersen K.E., Adler D. // IEEE Trans. Electron. Devices. 1976. Vol. ED-23. N 4. P. 471--475
Адлер Д. // УФН. 1978. Т. 125. N 4. C. 707--730
Костылев С.А., Шкут В.А. Электронное переключение в аморфных полупроводниках. Киев: Наукова думка, 1978. 203 с
v Cesnys A., Oginskas A., Gav ska K., Lisauskas V. // J. Non-Cryst. Sol. 1987. Vol. 90. P. 609--612
АС. СССР. N 1278624. Б.И. G01 K7/30. 1985
Чеснис А., Огинскас А., Бутинавичюте Э. и др. // Литовский физ. сб. 1984. Т. 24. N 3. C. 83--89
Чеснис А., Огинскас А., Лисаускас В. // Литовский физ. сб. 1992. Т. 32. N 5. C. 664--675
Pryor R.W., Henisch H.K. // J. Non-Cryst. Sol. 1972. Vol. 7. N 2. P. 181--186
Petersen K.E., Adler D. // J. Appl. Phys. 1976. Vol. 47. N 1. P. 256--259
Чеснис А., Огинскис А.-К. // Литовский физ. журнал. 1998. Т. 38. N 4. C. 385--392
Мотт Н., Дэвис Э. Электронные процессы в некристаллический веществах. М.: Мир, 1982. 663 с
Шарма Б.Л., Порохит Р.К. Полупроводниковые гетеропереходы. М.: Сов. радио, 1979. 227 с
Родерик Э.Х. Контакты металл--полупроводник. М.: Радио и связь, 1982. 209 с
Чеснис А., Огинскис А.-К. // Литовский физ. журнал. 1994. Т. 34. N 3. C. 272--275
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.