Особенности оптического ограничения импульсно-периодического лазерного излучения в примесном GaAs и ZnSe
Михеева О.П.1, Сидоров А.И.1, Хайкина А.С.1, Чугуевец Е.В.1
1Институт лазерной физики, С.-Петербург
Поступила в редакцию: 7 августа 2001 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2001 г.
Представлены экспериментальные результаты по ограничению излучения с длиной волны 1.55 mum в арсениде галлия и селениде цинка с глубокими примесными уровнями при частоте повторения лазерных импульсов до 100 kHz. Показано, что с увеличением частоты происходят снижение энергетического порога ограничения излучения и увеличение коэффициента ослабления излучения. Причиной данных эффектов является накопление неравновесных носителей заряда, вызванное зависимостью постоянной времени примесной рекомбинации от концентрации свободных примесных центров.
- Bogges T.F., Smirl A.I., Moss S. et al. // IEEE J. of Quant. Electr. 1985. V. QE-21. N 5. P. 488
- Hogan D.J., Van Stryland E.W., Soileau M.J. et al. // J. Opt. Soc. Am. A. 1986. V. 3. N 13. P. 105
- Van Stryland, Wu Y.Y., Hagan D.J. et al. // J. Opt. Soc. Am. B. 1988. V. 5. N 9. P. 1980
- Багров И.В., Жевлаков А.П., Сидоров А.И. // Письма в ЖТФ. 2001. Т. 27. В. 10. С. 26
- Вавилов В.С. Действие излучений на полупроводники. М.: Физматгиз, 1963. 264 с
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук