Исследовано влияние изменения электронной подсистемы полупроводникового кристалла кремния, а именно воздействия электропереноса примесных атомов на особенности протекания явления электропластической деформации. Этот новый способ воздействия на движение дислокаций выявил значительное понижение предела текучести, существенное увеличение общей величины пластичности по сравнению с традиционными способами деформации. Предложены возможные механизмы объяснения наблюдаемых эффектов.
Николис Г., Пригожин И. Самоорганизация в неравновесных системах: От диссипативных структур к упорядочению через флуктуации. М.: Мир, 1979. 512 с
Иванова В.С., Баланкин А.С., Бунин И.Ж. Синергетика и фракталы в материаловедении. М.: Наука, 1994. 383 с
Трефилов В.И., Мильман Ю.В., Гриднева И.В. // Неорганические материалы. 1984. Т. 20. N 6. С. 958--966
Корнюшин Ю.В. Явления переноса в реальных кристаллах во внешних полях. Киев: Наук. думка, 1986. 126 с
Макушок Г.М. Самоорганизация деформационных процессов. Минск: Наука и техника, 1991. 272 с
Тонкие пленки. Взаимная диффузия и реакции / Под ред. Дж. Поут. Пер. с англ. М.: Мир, 1982. 575 с
Алиев М.А., Селезнев В.В. Электропластический способ деформации полупроводниковых кристаллов. Препринт ИФ ДНЦ РАН. Махачкала, 1989. 6 с
Алиев М.А., Алиев Х.О., Селезнев В.В. // ФТТ. 1999. Т. 41. В. 6. С. 1028--1029
Малыгин Г.А. // УФН. 1999. Т. 69. В. 9. С. 979--1008
Wohler F.D., Alexander H., Sander W. // J. Phys. Chem. Sol. 1970. V. 31. P. 1381--1383
Конторова Г.А. // ФТТ. 1967. Т. 9. В. 4. С. 1235--1241
Вдовин Е.Е., Касумов А.Ю. // ФТТ. 1988. Т. 30. В. 1. С. 311--314
Болтакс Б.И. Диффузия и точечные дефекты в полупроводниках. Л.: Наука, 1972. 382 с
Олемский А.И., Скляр И.А. // УФН. 1992. N 162. С. 29--79
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.