"Письма в журнал технической физики"
Издателям
Вышедшие номера
Исследование квантовых точек InAs на вицинальной поверхности кристалла GaAs методом атомно-силовой микроскопии
Евтихиев В.П.1, Константинов О.В.1, Котельников Е.Ю.1, Матвеенцев А.В.1, Титков А.Н.1, Школьник А.С.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 2 октября 2001 г.
Выставление онлайн: 20 января 2002 г.

Предложена методика обработки изображений, полученных путем атомно-силовой микроскопии. На конкретном примере показано, как определяются параметры кластеров InAs на вицинальной поверхности кристалла GaAs. При использовании развитой ранее сферической модели кластера это дает возможность рассчитать энергетические уровни электронов и дырок в квантовой точке.
  • Kudryashov I.V., Evtikhiev V.P., Tokranov V.E., Kotel'nikov E.Yu., Kryganovskii A.K., Titkov A.N. et al. // J. Cryst. Growth. 1999. V. 201/202. P. 1158--1160
  • Evtikhiev V.P., Tokranov V.E., Kryganovskii A.K., Boiko A.M., Suris R.A., Titkov A.N. // Journal of Crystal Growth. 1999. V. 201/202. P. 1154--1157.
  • Moison J.M., Houzay F., Barthe F., Leprince L., Andre E., Vatel O. // Appl. Phys. Lett. 1994. V. 64 (2). P. 196--198
  • Evtikhiev V.P., Konstantinov O.V., Matveentsev A.V. // Tech. Phys. Lett. 2001. V. 27. N 3. P. 248--250
  • Asryan L.V., Suris R.A. // Semicond. Sci. Technol. 1996. V. 11. P. 554--567
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.