"Письма в журнал технической физики"
Издателям
Вышедшие номера
Спектры поглощения кристаллов нитрида галлия, легированных ионами эрбия
Криволапчук В.В.1, Мездрогина М.М.1, Раевский С.Д.1, Скворцов А.П.1, Юсупова Ш.А.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: A.Skvortsov@pop.ioffe.rssi.ru
Поступила в редакцию: 30 ноября 2001 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2002 г.

Исследованы спектры оптического поглощения ионов Er3+ в объемных кристаллах GaN, выращенных методом газофазной эпитаксии в хлоридной системе. Эрбий был введен диффузионным способом. При 293, 77 и 2 K детально изучена область 4I15/2-> 2H11/2 перехода, расположенная в интервале 518--527 nm. При 2 K спектр перехода 4I15/2-> 2H11/2 состоит из 6 линий, что совпадает с теоретически возможным числом подуровней 2H11/2 состояния иона Er3+, находящегося в некубическом кристаллическом поле. Определены положения уровней 2H11/2-мультиплета: 2.360, 2.361, 2.365, 2.369, 2.379 и 2.386 eV. Количество линий при 2 K и их узость свидетельствуют о том, что ионы Er3+ занимают в кристаллах GaN преимущественно одну регулярную позицию. Наиболее вероятным представляется расположение эрбия в позиции галлия.
  • Gruber J.B., Henderson J.R., Muramoto M. et al. // J. Chem. Phys. 1966. V. 45. N 2. P. 477--482
  • Kisliuk P., Krupke W.F., Gruber J.B. // J. Chem. Phys. 1964. V. 40. N 12. P. 3606--3610
  • Kim S., Rhee S.J., Li X. et al. // J. of Electronic Materials. 1999. V. 28. N 3. P. 266--274
  • Polgar K., Skvortsov A.P. // Opt. Spectrosc. 1985. V. 58. P. 140--141
  • Dierolf V., Koerdt M. // Phys. Rev. B. 2000. V. 61. N 12. P. 8043--8052
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.