"Письма в журнал технической физики"
Издателям
Вышедшие номера
Положительная задержанная фотопроводимость в двойных гетероструктурах Al0.5Ga0.5As/GaAs/Al0.5Ga0.5As p-типа
Краак В.1, Минина Н.Я.1, Савин А.М.1, Ильевский А.А.1, Соренсон К.Б.1
1Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова
Email: min@mig.phys.msu.su
Поступила в редакцию: 8 ноября 2002 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2002 г.

Положительная задержанная фотопроводимость обнаружена в двойных гетероструктурах Al0.5Ga0.5As/GaAs/Al0.5Ga0.5As p-типа после облучения красным светодиодом. В этом состоянии наблюдалось увеличение концентрации двумерных дырок в 1.5 раза и их подвижности в 1.7 раза по сравнению со значениями в начальном темновом состоянии. Задержанная фотопроводимость может быть объяснена существованием глубоких электронных ловушек, расположенных на инвертированной гетерогранице выше уровня Ферми.
  • Chou M.J., Tsui D.C., Weimann G. // Appl. Phys. Lett. 1985. V. 47. P. 609
  • Pfeiffer L., Schubert E.F., West K.W. et al. // Appl. Phys. Lett. 1991. V. 58 (20). P. 2258
  • Krispin P., Hey R., Kostial H. // J. Appl. Phys. 1995. V. 77. P. 5773
  • Kusters R.M., Janssen T.J.B.M., Langerak C.G.M. et al. // Semicond. Sci. Technol. 1992. V. 7. P. 961
  • Sakaki H., Noda T., Hirakawa K. et al. // J. Appl. Phys. Lett. 1987. V. 51. P. 1934
  • Lee K., Shur M.S., Drummond T.J. et al. // J. Appl. Phys. 1983. V. 54. P. 6432
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.