Сообщается о возможном механизме роста монокристаллов полупроводников из расплавов в условиях невесомости. Приведены результаты компьютерного моделирования методом молекулярной динамики тонкого слоя расплава на поверхности монокристалла. Полученные основные характеристики динамики компонентов расплава позволяют выявить механизмы, при которых рост монокристаллов будет происходить во многом за счет атомов или малоатомных кластеров, что и повлияет на совершенство кристаллической структуры растущего монокристалла.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.