Вышедшие номера
Изменение коэффициента отражения излучения от поверхности полупроводников в спектральном диапазоне lambda=0.2/ 20 mum под воздействием ультразвуковых волн
Заверюхин Б.Н.1, Заверюхина Н.Н.1, Турсункулов О.М.1
1Физико-технический институт НПО ”Физика−Солнце“ Академии наук Республики Узбекистан, Ташкент, Узбекистан
Email: oybtm@physic.uzsci.net
Поступила в редакцию: 15 марта 2002 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2002 г.

Рассмотрено влияние ультразвуковых волн на спектральный коэффициент отражения излучения от поверхности полупроводников, используемых в солнечной энергетике. Проведено сравнение отражательных свойств полупроводников до и после ультразвукового воздействия. Показано, что акустостимуляционные процессы на поверхности и в приповерхностных слоях полупроводника определяют условия коэффициента отражения.
  1. Заверюхин Б.Н., Кревчик В.Д., Муминов Р.А., Раджапов C., Яфасов А.Я. // Тез. докл. XXXIII Совещания по ядерной спектроскопии и структуре атомного ядра. М.--Л.: 19--21 апреля, 1983. С. 530
  2. Гаибов А.Г., Заверюхин Б.Н., Кревчик В.Д., Муминов Р.А., Яфасов А.Я. // Тез. докл. XXXII Совещания по ядерной спектроскопии и структуре атомного ядра. М.--Л.: 19--21 апреля, 1983. С. 531
  3. Гаибов А.Г., Заверюхин Б.Н., Кревчик В.Д., Нигманов О., Муминов Р.А., Шамагдиев А.Ш. // Письма в ЖТФ. 1984. Т. 10. В. 10. C. 616--620
  4. Заверюхин Б.Н. Исследование особенностей переноса неравновесного заряда в полупроводниковых детекторах. Канд. дис. Киев, 1990
  5. Howards L.E., Gilbert I.J. // J. Appl. Phys. 1963. V. 134. N 1. P. 236--237
  6. Каган М.Б., Колтун М.М., Ландсман А.П. // Журн. прикл. спектроскопии. 1966. Т. 5. В. 6. С. 770--773
  7. Заверюхин Б.Н., Кревчик В.Д., Муминов Р.А., Шамагдиев А.Ш. // ФТП. 1986. Т. 20. В. 3. C. 525--528
  8. Заверюхин Б.Н., Исмаилов Х.Х., Муминов Р.А., Эгамов Ш.В. // Тезисы докладов VI Всесоюзной конференции по физико-химическим основам легирования полупроводниковых материалов. Москва, 17--19 октября 1988. М.: Наука, 1988. С. 133
  9. Здебский А.П., Корчная В.Л., Торчинская Т.В., Шейнкман М.К. // Письма в ЖТФ. 1986. Т. 74. N 12
  10. Заверюхин Б.Н., Исмаилов Х.Х., Муминов Р.А., Турсункулов О. // Письма в ЖТФ. 1996. Т. 22. В. 15. С. 25--27
  11. Krevchik V.D., Muminov R.A., Yafasov A.Ya. // Phys. Stat. Sol. (a). 1981. V. 63. P. K159--162
  12. Островский И.В., Стебленко Л.П., Надточий А.Б. // ФТП. 2000. Т. 24. В. 3. С. 257--260
  13. Мосс Т. Оптические свойства полупроводников. М.: Изд-во иностр. лит., 1961. 304 с
  14. Киреев П.С. Физика полупроводников. М.: Высшая школа, 1975. 584 с
  15. Ультразвук. Маленькая энциклопедия / Глав. ред. И.П. Голямина. М.: Сов. энцикл., 1979. 400 с
  16. Полякова А.Л. Деформация полупроводников и полупроводниковых приборов. М.: Энергия, 1979. 167 с
  17. Шальнев К.К., Степанов Р.Д., Логов И.Л. // Докл. АН СССР. 1966. Т. 1. N 1. С. 85--88
  18. Азимов С.А., Букки С.М., Муминов Р.А., Щебиот У.В. // Атомная энергия. 1976. Т. 40. В. 4. С. 346--347

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.