"Письма в журнал технической физики"
Издателям
Вышедшие номера
Мультивалентное замещение в квазибинарном Ga1-x(II--Mn--IV)xAs твердом растворе
Медведкин Г.А.
Поступила в редакцию: 16 мая 2002 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2002 г.

Предложен процесс мультивалентного замещения катионов на атомы Mn в базовом материале Ga1-xMnxAs. Такое замещение использует двухкатионное тройное соединение со структурой халькопирита как материал, образующий твердый раствор с GaAs. На основе успешного прогнозирования и выращивания высокотемпературных ферромагнитных халькопиритов, обоснована возможность повышения концентрации Mn в Ga1-xMnxAs. Квазибинарные твердые растворы (GaAs)x(ZnGeAs2)1-x : Mn и (GaAs)x(CdSiAs2)1-x : Mn рассмотрены как претенденты для достижения более высоких температур Кюри по сравнению с Ga1-xMnxAs.
  • Ohno H. // J. Magn. Magn. Mater. 1999. V. 200. P. 110--129
  • Dietl T., Ohno H. // Physica E. 2001. V. 9. P. 185--193
  • Dietl T., Ohno H., Matsukura F. // Phys. Rev. B. 2001. V. 63. P. 195--205
  • Van Esch A., Van Bockstal L., De Boeck J. et al. // Phys. Rev. B. 1997. V. 56. N 20. P. 13 103--13 112
  • Sadowski J., Mathieu R., Svedlindh P. et al. // Appl. Phys. Lett. 2001. V. 78. N 21. P. 3271--3273
  • Sato K. // Crystal growth and characterization of magnetic semiconductors. Inv. Lecture. 11th Int. Summer Sch. on Cryst. Growth, 24--29 July 2001; Misawa R. // M.S. Thesis, Tokyo Univ. A\&T (unpublished)
  • Medvedkin G.A., Ishibashi T., Nishi T. et al. // Jpn. J. Appl. Phys. 2000. V. 39. N 10A. P. L949--L951
  • Медведкин Г.А., Ишибаши Т., Ниши Т., Сато К. // ФТП. 2001. Т. 35. В. 3. С. 305--309
  • Sato K., Medvedkin G.A., Nishi T. et al. // J. Appl. Phys. 2001. V. 89. N 11. P. 7027--7029
  • Mahadevan P., Zunger A. // Phys. Rev. Lett. 2002. V. 88. N 4. P. 047205
  • Zhao Y.-J., Picozzi S., Continenza A. et al. // Phys. Rev. B. 2002. V. 65. P. 094415
  • Горюнова Н.А., Валов Ю.А. (ред.). Полупроводники A-=SUP=-2-=/SUP=-B-=SUP=-4-=/SUP=-C-=SUP=-5-=/SUP=--=SUB=-2-=/SUB=-, М.: Сов. радио, 1974
  • Shay J.L., Wernick J.H. Ternary chalcopyrite semiconductors. Oxford: Pergamon Press, 1975
  • Yamamoto T., Katayama-Yoshida H. // Jpn. J. Appl. Phys. 1999. Part 2. V. 38. P. L166--L169
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.