Энергетическое положение электрически активных центров в окисном слое SIMOX-структур
Аскинази А.Ю.1, Барабан А.П.1, Дмитриев В.А.1, Милоглядова Л.В.1
1С.-Петербургский государственный университет, НИИ физики
Поступила в редакцию: 19 февраля 2002 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2002 г.
Методами, основанными на измерении высокочастотных вольт-фарадных характеристик, проводились исследования структур Si-SiO2, сформированных по SIMOX-технологии. Оценено энергетическое положение электрически активных центров в окисном слое SIMOX-структур.
- Барабан А.П., Булавинов В.В., Коноров П.П. Электроника слоев SiO2 на кремнии. Л.: Изд. ЛГУ, 1988. 304 с
- Аскинази А.Ю., Барабан А.П., Дмитриев В.А. и др. // Письма в ЖТФ. 2001. Т. 27. В. 10. С. 57--61
- Аскинази А.Ю., Барабан А.П., Милоглядова Л.В. // ЖТФ. 2002. Т. 72. В. 5. С. 61--64
- Lenzlinger M., Snow E.H. // J. Appl. Phys. 1969. V. 40. N 1. P. 278--283
- Stoemenos J., Garcia A. et al. // J. Electrochem. Soc. 1995. V. 142. N 4. P. 1248--1260
- White C.T., Ngai K.L. // J. Vac. Scien. and Techn. 1979. V. 16. N 5. P. 1412--1418
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
