Методами атомно-силовой микроскопии и фотолюминесценции изучались влияние высокотемпературного (1010oC) отжига в потоке аммиака на свойства выращенных хлоридно-гидридной газофазной эпитаксией GaN слоев, отделенных от SiO2 подложки. Эпитаксиальный рост объемных толщиной 360 mum слоев осуществлялся в две стадии: вначале выращивался слой при низкой (530oC) температуре эпитаксии, а затем при высокой (970oC). Установлено, что отжиг низкотемпературного GaN слоя приводит к увеличению нанорельефа поверхности и к активизации донорно-акцепторной рекомбинации, а отжиг высокотемпературного --- к уменьшению интенсивности фотолюминесценции.
Maruska H.P., Tietjen J.J. // Appl. Phys. Lett. 1969. V. 15. P. 327
Nakamura S., Mukai T., Senoh M., Iwasa N. // Jpn. J. Appl. Phys. 1992. V. 31. L. 139
Tavernier P.R., Etzkom E.V., Wang Y., Clarke D.R. // Appl. Phys. Lett. 2000. V. 77. P. 1804
Бессолов В.Н., Жиляев Ю.В., Коненкова Е.В., Кукушкин С.А., Лукьянов А.В., Раевский С.Д., Федирко В.А. // Письма в ЖТФ. 2001. V. 27 (23). С. 60
Кацавец Н.И., Laws G.M., Harrison I., Larkins E.C., Benson T.M., Cheng T.S., Foxon C.T. // ФТП. 1998. Т. 32. С. 1175
Fang Z.-Q., Look D.C., Visconti P., Wang D.-F., Lu C.-Z., Yun F., Morkoc H., Park S.S., Lee K.Y. // Appl. Phys. Lett. 2001. V. 78. P. 2178
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.