Приводятся первые результаты изучения эпитаксиального выращивания легированных эрбием слоев кремния на сапфировых подложках с использованием метода сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии. Приведены данные структурного анализа, обсуждаются люминесцентные свойства слоев. Показано достаточно высокое совершенство гетероэпитаксиальных слоев кремния на сапфире, выращенных при температурах Ts=600-700oC. В фотолюминесцентном отклике структур обнаружен сигнал на длине волны 1.54 mum, связываемый с внутрицентровыми переходами редкоземельного иона Er3+. Работа выполнена при частичной поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (гранты N 01-02-16439 и 02-02-16773) и МНТП "Фундаментальная спектроскопия" (проект N 08.02.043).
D. Mead, J. Hine. Rep. Progr. Phys. 8, 3, 327 (1987)
Н.А. Соболев. ФТП 29, 1153 (1995)
В.С. Панков, М.Б. Цыбульников. Эпитаксиальные кремниевые слои на диэлектрических подложках и приборы на их основе. Энергия, М. (1979)
E.D. Richmond, J.G. Pelligrino, M.E. Twigg et al. Thin Solid Films 192, 287 (1990)
С.П. Светлов, В.Ю. Чалков, В.Г. Шенгуров. ПТЭ 4, 141 (2000)
W. Kuerner, R. Sauer, A. Doerner, K. Thonke. Phys. Rev. B 39, 18 13 327 (1989)
R. Sauer, J. Weber, J. Stolz. Appl. Phys. A 36, 1 (1985)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.