Вышедшие номера
Исследование термоэдс моноселенида тулия под давлением до 24 GPa
Степанов Н.Н.1, Щенников В.В.2, Морозова Н.В.2, Коробейников И.В.2, Голубков А.В.1, Каминский В.В.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Институт физики металлов им. М.Н. Михеева Уральского отделения Российской академии наук, Екатеринбург, Россия
Email: stnick@hotbox.ru
Поступила в редакцию: 19 марта 2014 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2014 г.

Получены экспериментальные данные по влиянию высокого давления на термоэдс монокристаллического селенида тулия при комнатной температуре. На барических зависимостях термоэдс в области давлений 2.5-3.0 GPa обнаружены особенности, которые свидетельствуют о перестройке электронного спектра TmSe, вызывающей при низких температурах переход из одного антиферромагнитного состояния (AF1) в другое (AF2). Показано, что критерием перехода ионов Tm в трехвалентное состояние не может служить совпадение под давлением величин термоэдс TmSe и TmS, поскольку сульфид тулия является концентрированной Кондо-системой и его термоэдс сама сильно меняется под действием всестороннего сжатия. Высказывается предположение, что при давлениях выше 19 GPa ионы Tm находятся в трехвалентном состоянии, т. е. это давление является граничным для состояния с переменной валентностью. Работа выполнена по плану РАН (шифр "Поток") при частичной поддержке РФФИ (грант N 14-02-31142 мол_а).
  1. B. Batlogg, H.R. Ott, E. Kaldis, W. Thoni, P. Wachter. Phys. Rev. B 19. 247 (1979)
  2. M. Ribault, J. Flouquet, P. Haen, F. Lapierre, J.M. Mignot, F. Holtzberg. Phys. Rev. Lett. 45, 1295 (1980)
  3. В.П. Горшунов, А.С. Прохоров, И.Е. Спектор, А.А. Волков, М. Дрессель, М. Думм, Т. Матсумура. ЖЭТФ 128, 1047 (2005)
  4. M. Ohashi, N. Takeshita, H. Mitamura, T. Matsumura, T. Suzuki, T. Goto, H. Ishimoto, N. Mori. Physica В 259--261, 326 (1999)
  5. J. Derr, G. Kneel, B. Sake, M.-A. Measson, J. Flouquet. J. Phys.: Cond. Matter 18, 2089 (2006)
  6. А.А. Аверкин, В.Н. Богомолов. ПТЭ 3, 224 (1972)
  7. V.V. Shchennikov, S.V. Ovsyannikov, A.Y. Manakov. J. Phys. Chem. Solids 71, 1168 (2010)
  8. А.В. Голубков, В.М. Сергеева. В сб.: Физика и химия редкоземельных полупроводников (Химия и технология). Препринт УНЦ ИФМ. Свердловск (1977). С. 28
  9. D. Jaccard, F. Haenssler, J. Sierro. Helv. Phys. Acta 53, 590 (1980)
  10. V.A. Sidorov, N.N. Stepanov, L.G. Khvostantsev, O.B. Tsiok, A.V. Golubkov, V.S. Oskotskii, I.A. Smirnov. Semicond. Sci. Technol. 4, 286 (1989)
  11. В.В. Щенников, Н.Н. Степанов, И.А. Смирнов, А.В. Голубков. ФТТ 30, 3105 (1988)
  12. В.В. Щенников, Н.Н. Степанов. ФТТ 34, 3612 (1992)
  13. А.О. Сабуров, Н.Н. Степанов, А.П. Швецов. ФТТ 32. 2497 (1990)
  14. V. Vijayakumar, S.N. Vaidya, E.V. Sampathkumaran, R. Vijayaraghavan. Solid State Commun. 46, 549 (1983)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.