Издателям
Вышедшие номера
Влияние температуры постимплантационного отжига на свойства кремниевых светодиодов, полученных имплантацией ионов бора в n-Si
Соболев Н.А.1, Емельянов А.М.1, Шек Е.И.1, Вдовин В.И.2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Институт химических проблем микроэлектроники, Москва, Россия
Email: nick@sobolev.ioffe.rssi.ru
Выставление онлайн: 20 декабря 2003 г.

Исследовано влияние температуры постимплантационного отжига на электролюминесцентные, электрофизические и структурные свойства светодиодов, полученных имплантацией ионов бора в n-Si с удельным сопротивлением 0.5 и 500 Omegacm. Во всех спектрах доминируют пики электролюминесценции (ЭЛ), обусловленные зона-зонными излучательными переходами. Увеличение температуры отжига от 700 до 1100oC сопровождается монотонным ростом квантовой эффективности для доминирующего пика ЭЛ и эффективного времени жизни неосновных носителей заряда в базе светодиодов, а также трансформацией протяженных структурных дефектов. Анализ экспериментальных результатов показывает, что образовавшиеся протяженные структурные дефекты влияют на ЭЛ характеристики, скорее, через образование или геттерирование центров излучательной и безызлучательной рекомбинации, чем предотвращают уxод носителей заряда на центры безызлучательной рекомбинации. Наибольшая внутренняя квантовая эффективность достигнута после отжига при 1100oC, когда протяженные структурные дефекты обнаружены не были. Ее величина оценена на уровне 0.4% при 300 K. Работа частично поддержана INTAS (грант N 2001-0194), Российским фондом фундаментальных исследований (гранты N 02-02-16374 и 02-02-16692) и отделением физических наук РАН в рамках научной программы "Новые материалы и структуры".
  • Wai Lek Ng, M.A. Lourenco, R.M. Gwilliam, S. Ledain, G. Shao, K.P. Homewood. Nature 410, 192 (2001)
  • А. Берг, П. Дин. Светодиоды. Мир, М. (1979). 686 с
  • B. Lax, S.F. Neustadter. J. Appl. Phys. 25, 9, 1148 (1954)
  • Р. Смит. Полупроводники. Мир, М. (1979). 560 с
  • А.Л. Асеев, Л.И. Федина, В. Хеэль, Х. Барч. Скопления междоузельных атомов в кремнии и германии. Наука, Новосибирск (1991). 149 с
  • G. Davies. Phys. Rep. 176, 3 \& 4, 83 (1989)
  • S. Coffa, S. Libertino, C. Spinella. Appl. Phys. Lett. 76, 3, 321 (2000)
  • N.A. Sobolev, O.B. Gusev, E.I. Shek, V.I. Vdovin, T.G. Yugova, A.M. Emel'yanov. Appl. Phys. Lett. 72, 25, 3326 (1998)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.