Нестационарная локальная переориентация нематика в ячейке с кремниевым p-n-переходом
Гончаров Ю.И.1, Колесников Д.А.1, Кучеев С.И.1
1Белгородский государственный университет
Email: skucheev@yahoo.com
Поступила в редакцию: 7 апреля 2014 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2014 г.
Впервые сообщается о наблюдении эффекта локальной нестационарной переориентации нематика, который инициируется обратно смещенным p-n-переходом в ячейке с подложкой Si. Скорость перемещения, дистанция, на которую перемещается полоса переориентированного нематика, на порядок превышающая толщину ячейки, определяются напряжением смещения p-n-перехода, а ее профиль зависит от распределения поверхностной проводимости, которая в работе задается облучением ионами Ga (30 keV) или генерацией неравновесных носителей заряда в кремнии светом. Локальная переориентация нематика и обеднение поверхности кремния объясняются влиянием поля объемного заряда в жидком кристалле.
- Yang D.K., Wu S.T. // Fundamentals of Liquid Crystal Devices. John Wiley\& Sons, Ltd. 2006. P. 378
- Mizusaki M., Miyashita T., Uchida T., Yamada Yu., Ishii Yu., Mizushima S. // J. Appl. Phys. 2007. V. 192. P. 014 904
- Бартонь Я., Кальнин А.А. // ЖТФ. 1998. Т. 68. B. 1. C. 125--127
- Pagliusi P., Zappone B., Cipparrone G., Barbero G. // J. Appl. Phys. 2004. V. 96. N 1. P. 218--223
- Stojmenovik G., Neyts K., Vermael S., Verschueren A.R.M., van Asselt R. // Jpn J. Appl. Phys. 2005. V. 44. N 8. P. 6190--6195
- Zieglar J.F. // Ion Implantation: Science and Technology. San Diego: Academic Press, Inc., 1988. P. 63
- Кучеев С.И., Тучина Ю.С. // ЖТФ. 2010. Т. 80. В. 6. С. 131--134 [ Kucheev S.I., Tuchina Yu.S. // Technical Physics. 2010. V. 55. N 6. P. 883--886]
- Muller R., Kamins T. // Device electronics for integrated circuits. N.Y.: Wiley, 2003. P. 560
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук