Журнал технической физики

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Использование маски из хрома для плазмохимического травления слоев Al_xGa_1-xN

Протасов Д.Ю.¹, Вицина Н.Р.¹, Валишева Н.А.¹, Дульцев Ф.Н.¹, Малин Т.В.¹, Журавлев К.С.¹

¹Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

Email: protasov@isp.nsc.ru

Поступила в редакцию: 28 ноября 2013 г.

Выставление онлайн: 20 августа 2014 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Изучено влияние материала маски для формирования мезо-структур на основе нитрида галлия для выбранного режима плазмохимического травления в среде BCl₃ : Ar : N₂. Показано, что двухслойная маска SiO₂/Cr, в которой толщина слоя хрома в 6-7 раз меньше заданной глубины травления, эффективно защищает поверхность и позволяет формировать структуры с гладкой поверхностью при травлении на глубину до 2.5 mum. Наклон боковых стенок при формировании маски методом прямой фотолитографии не превышает 10^o и уменьшается при использовании для этой цели взрывной фотолитографии.

Rawal D.S., Malik H.K., Agarwal V.R. et al. // IEEE Trans. Plasma Sci. 2012. Vol. 40. N 9. P. 2211 - 2220
Zhou S., Cio B., Liu S. // Appl. Phys. A. 2011. Vol. 105. P. 369 - 377
Дудин С.В. Физ. инженерия поверхности. 2006. Т. 4. N 1--2. С. 117--123
Рамушина Е.М. и др. // Тез. докладов 4-го Всероссийского совещания "Нитриды галлия, индия и алюминия --- структуры и приборы". СПб. 2000. С. 69
Аракчеева Е.М., Нащекин А.В., Соловьев В.А. и др. // ЖТФ. 2005. Т. 74. Вып. 2. С. 78 - 81
Лидин Р.А., Андреева Л.Л., Молочко В.А. Константы неорганических веществ: справочник. М.: Дрофа, 2006. 685 с
Wu B. // J. Vac. Sci. Technol. B. 2006. Vol. 24. N 1. P. 1--15
Болтарь К.О., Бурлаков И.Д., Седнев М.В., Яковлева Н.И. // Успехи прикладной физики. 2013. Т. 1. N 2. С. 200-207

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель