Вышедшие номера
Резонансное стоксовое и антистоксовое комбинационное рассеяние света в наноструктурах CdSe / ZnSe
Валах М.Я.1, Стрельчук В.В.1, Семенова Г.Н.1, Садофьев Ю.Г.1
1Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
Выставление онлайн: 20 декабря 2003 г.

Исследованы спектры комбинационного рассеяния многослойных наноструктур CdSe / ZnSe с номинальной толщиной CdSe-вставки 2.1 монослоя. Обнаружена сильная зависимость интенсивности и частотного положения многофононных стоксовых и антистоксовых LO-полос от условий возбуждения. Полученные результаты интерпретированы как резонанс с различными экситонными переходами областей CdSe-вставки и барьерных слоев ZnSe. Отличие стоксовых и антистоксовых частот LO-полос при изменении условий резонанса подтверждает неоднородный характер полосы фотолюминесценции квантовых точек CdSe. Работа выполнена в рамках совместной Российско-украинской исследовательской программы "Нанофизика".
  1. N. Peranio, A. Rosenauer, D. Gerthsen, S.V. Sorokin, I.V. Sedova, S.V. Ivanov. Phys. Rev. B 61, 16 015 (2000); D. Litvinov, A. Rosenauer, D. Gerthsen, N.N. Ledentsov. Phys. Rev. B 61, 16 819 (2000)
  2. C.S. Kim, M. Kim, S. Lee, J.K. Furdyna, M. Dobrowolska, H. Rho, L.M. Smith, H.E. Jackson. J. Cryst. Growth 214 / 215, 761 (2000)
  3. M.Ya. Valakh, Yu.G. Sadofyev, N.O. Korsunska, G.N. Semenova, V.V. Strelchuk, L.V. Borkovska, M.V. Vuychik, M.M. Sharibaev. Semiconductor Physics, Quantum Electronics \& Optoelectronics 5, 3, 254 (2002)
  4. M.Ya. Valakh, N.O. Korsunska, Yu.G. Sadofyev, V.V. Strelchuk, G.N. Semenova, L.V. Borkovska, V.V. Artamonov, M.V. Vuychik. Mater. Sci. Eng. B, in press (2003)
  5. А.А. Клочихин, А.Г. Плюхин, Л.Г. Суслина, Е.Б. Шадрин. ФТТ 18, 7, 1909 (1976)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.