Методом лазерного испарения выращены трехслойные эпитаксиальные гетероструктуры, в которых промежуточный слой SrTiO3 толщиной в 700 nm интегрирован с двумя электродами SrRuO3. В верхнем электроде с использованием фотолитографии и ионного травления были сформированы два десятка контактных площадок (S~ 0.1 mm2). Нижний электрод SrRuO3, выращенный на подложке (001)MgO, являлся общим для всех пленочных конденсаторов на чипе. С понижением температуры в интервале 300-50 K емкость C конденсаторов возрастала более чем в два раза вследствие увеличения диэлектрической проницаемости varepsilon промежуточного слоя. При T=4.2 K уменьшение C при подаче на оксидные электроды напряжения смещения ±2.5 V составляло порядка 40%. В интервале температуры 100-300 K отношение varepsilon0/varepsilon практически линейно возрастало с температурой (varepsilon0 --- диэлектрическая проницаемость вакуума). При T>250 K тангенс угла диэлектрических потерь промежуточного слоя SrTiO3 экспоненциально возрастал с температурой и существенно зависел от напряжения смещения, поданного на оксидные электроды.
R. Dittmann, R. Plonka, E. Vasco, N.A. Pertsev, J.Q. He, C.L. Jia, S. Hoffmann-Eifert, R. Waser. Appl. Phys. Lett, 83, 5011 (2003)
A. Sharma, Z.-G. Ban, S.P. Alpay, J.V. Mantese. Appl. Phys. Lett. 85, 985 (2004)
Yu.A. Boikov, E. Olsson, T. Claeson. Phys. Rev. B 74, 024 114-1 (2006)
Yu.A. Boikov, Z.G. Ivanov, A.N. Kiselev, E. Olsson, T. Claeson. J. Appl. Phys. 78, 4591 (1995)
P.A. Cox, R.G. Egdell, J.B. Goodenough, A. Hamnett, C.C. Naish. J. Phys. C: 16, 6221 (1983)
X. Fang, T. Kobayashi. J. Appl. Phys. 90, 162 (2001)
A.G. Schrott, J.A. Misewich, V. Nagarajan, R. Ramesh. Appl. Phys. Lett. 82, 4770 (2003)
M. Julia. Phillips. J. Appl. Phys. 79, 1829 (1996)
J.C. Jiang, W. Tian, X. Pan, Q. Gan, C.B. Eom. Mater. Sci. Eng. B 56 152 (1998)
R.B. Wyckoff. J. Crystal Structures. 2nd ed. Interscience, NY (1964). V. 2. P. 394
V. Srikant, E.J. Tarsa, D.R. Clarke, J.S. Speck. J. Appl. Phys. 77, 1517 (1995)
Luke S.-J. Peng, X.X. Xi, Brian H. Moeckly. Appl. Phys. Lett. 83, 4592 (2003)
Yu.A. Boikov, T. Claeson. Physica C 336, 3-- 4, 300 (2000)
E.D. Specht, R.E. Clausing, L. Heatherly. J. Mater. Res. 5, 2351 (1990)
A.D. Hilton, B.W. Ricketts. J. Phys. D 29, 1321 (1996)
G. Simmons. Appl. Phys. Lett. 6, 54 (1965)
Ю.А. Бойков, В.А. Данилов. ПЖТФ 30, 26 (2004)
Yu.A. Boikov, T. Claeson. Appl. Phys. Lett. 80, 4603 (2002)
Yu.A. Boikov, R. Gunnarsson, T. Claeson, J. Appl. Phys. 96, 435 (2004)
R. Viana, P. Lunkenheimer, J. Hemberger, R. Bohmer, A. Loide. Phys. Rev. B 50, 601 (1994)
J.R. Yeargan, H.L. Taylor. J. Appl. Phys. 39, 5600 (1968)
P. Dorenbos, H.W. den Hartog, R. Kruizinga, S. Vrind. Phys. Rev. B 35, 5774 (1987)
O.N. Tufte, P.W. Chapman. Phys. Rev. 155, 796 (1967)