Издателям
Вышедшие номера
Деградация емкости межфазной границы SrRuO3/SrTiO3, индуцированная механическими напряжениями
Бойков Ю.А.1, Клаесон Т.2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Чалмерский технический университет, Гетеборг, Швеция
Email: yu.boikov@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 14 мая 2014 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2014 г.

Методом лазерного испарения выращены трехслойные эпитаксиальные гетероструктуры, в которых промежуточный слой SrTiO3 толщиной в 700 nm интегрирован с двумя электродами SrRuO3. В верхнем электроде с использованием фотолитографии и ионного травления были сформированы два десятка контактных площадок (S~ 0.1 mm2). Нижний электрод SrRuO3, выращенный на подложке (001)MgO, являлся общим для всех пленочных конденсаторов на чипе. С понижением температуры в интервале 300-50 K емкость C конденсаторов возрастала более чем в два раза вследствие увеличения диэлектрической проницаемости varepsilon промежуточного слоя. При T=4.2 K уменьшение C при подаче на оксидные электроды напряжения смещения ±2.5 V составляло порядка 40%. В интервале температуры 100-300 K отношение varepsilon0/varepsilon практически линейно возрастало с температурой (varepsilon0 --- диэлектрическая проницаемость вакуума). При T>250 K тангенс угла диэлектрических потерь промежуточного слоя SrTiO3 экспоненциально возрастал с температурой и существенно зависел от напряжения смещения, поданного на оксидные электроды.
  • R. Dittmann, R. Plonka, E. Vasco, N.A. Pertsev, J.Q. He, C.L. Jia, S. Hoffmann-Eifert, R. Waser. Appl. Phys. Lett, 83, 5011 (2003)
  • A. Sharma, Z.-G. Ban, S.P. Alpay, J.V. Mantese. Appl. Phys. Lett. 85, 985 (2004)
  • Yu.A. Boikov, E. Olsson, T. Claeson. Phys. Rev. B 74, 024 114-1 (2006)
  • Yu.A. Boikov, Z.G. Ivanov, A.N. Kiselev, E. Olsson, T. Claeson. J. Appl. Phys. 78, 4591 (1995)
  • P.A. Cox, R.G. Egdell, J.B. Goodenough, A. Hamnett, C.C. Naish. J. Phys. C: 16, 6221 (1983)
  • X. Fang, T. Kobayashi. J. Appl. Phys. 90, 162 (2001)
  • A.G. Schrott, J.A. Misewich, V. Nagarajan, R. Ramesh. Appl. Phys. Lett. 82, 4770 (2003)
  • M. Julia. Phillips. J. Appl. Phys. 79, 1829 (1996)
  • J.C. Jiang, W. Tian, X. Pan, Q. Gan, C.B. Eom. Mater. Sci. Eng. B 56 152 (1998)
  • R.B. Wyckoff. J. Crystal Structures. 2nd ed. Interscience, NY (1964). V. 2. P. 394
  • V. Srikant, E.J. Tarsa, D.R. Clarke, J.S. Speck. J. Appl. Phys. 77, 1517 (1995)
  • Luke S.-J. Peng, X.X. Xi, Brian H. Moeckly. Appl. Phys. Lett. 83, 4592 (2003)
  • Yu.A. Boikov, T. Claeson. Physica C 336, 3-- 4, 300 (2000)
  • E.D. Specht, R.E. Clausing, L. Heatherly. J. Mater. Res. 5, 2351 (1990)
  • A.D. Hilton, B.W. Ricketts. J. Phys. D 29, 1321 (1996)
  • G. Simmons. Appl. Phys. Lett. 6, 54 (1965)
  • Ю.А. Бойков, В.А. Данилов. ПЖТФ 30, 26 (2004)
  • Yu.A. Boikov, T. Claeson. Appl. Phys. Lett. 80, 4603 (2002)
  • Yu.A. Boikov, R. Gunnarsson, T. Claeson, J. Appl. Phys. 96, 435 (2004)
  • R. Viana, P. Lunkenheimer, J. Hemberger, R. Bohmer, A. Loide. Phys. Rev. B 50, 601 (1994)
  • J.R. Yeargan, H.L. Taylor. J. Appl. Phys. 39, 5600 (1968)
  • P. Dorenbos, H.W. den Hartog, R. Kruizinga, S. Vrind. Phys. Rev. B 35, 5774 (1987)
  • O.N. Tufte, P.W. Chapman. Phys. Rev. 155, 796 (1967)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.