Журнал технической физики

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Особенности усиления и гашения фотопроводимости в гетероструктурах Mn₄Si₇--Si<Mn>--Mn₄Si₇ и Mn₄Si₇--Si<Mn>--M

Камилов Т.С., Эрнст И.В., Самунин А.Ю.¹

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

Email: a.u.samunin@gmail.com

Поступила в редакцию: 19 декабря 2013 г.

Выставление онлайн: 19 ноября 2014 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Исследованы особенности усиления и гашения фотопроводимости в гетероструктурах Mn₄Si₇-Si<Mn>-Mn₄Si₇ и Mn₄Si₇-Si<Mn>-M. Показано, что при низких температурах высокоомная базовая область структур BCM-Si<Mn>-ВСМ или BCM-Si<Mn>-М при освещении собственным светом становится низкоомным проводящим слоем к переходной i-области структур. Выяснен механизм усиления фотопроводимости (ФП) в гетероструктурах вызванной ударной ионизации в i-области. Дано объяснение резкому гашению ФП в области температур 180-220 K.

Адашева С.И., Абдуллаев И., Вязмина Е.А. и др. // Известия РАН. Серия физическая. 1993. Т. 57. N 2. С. 133
Kamilov T.S., Sadullaev B.L., Ganiev U.Sh., Kamilov B.T. // Semicond. Sci. Tehnol. 1998. Vol. 13. P. 496--499
Kamilov T.S., Chirva V.P., Kabilov D.K. // Semicond. Sci. Tehnol. 1999. Vol. 14. P. 1012--1017
Бахадырханов М.К., Камилов Т.С., Хусанов А.Ж., Ивакин Г.И., Занавескина И.С. // Поверхность. Рентгеновские, cинхротронные и нейтронные исследования. 2002. N 6. С. 100--103
Бьюб Р. Фотопроводимость твердых тел. М.: ИЛ, 1962
Рывкин С.М. Фотоэлектрические явления в полупроводниках. М.: Физматгиз, 1963
Роуз А. Основы теории фотопроводимости. М.: Мир, 1966
Зи С. Физика полупроводниковых приборов. В 2-х книгах. Кн. 2. Пер. с. англ. 2-е изд, перераб. и доп. М.: Мир, 1984
Шукурова Д.М., Орехов А.С., Шарипов Б.З., Клечковская В.В., Камилов Т.С. // ЖТФ. 2011. Т. 81. Вып. 10. С. 44--49
Шукурова Д.М., Камилов Т.С., Шарипов Б.З. // УФЖ. 2011. Вып. 13. N 1. С. 13--18
Полупроводниковые формирователи сигналов изображения / Под ред. П. Йесперса, Ф. Ван де Виле, М. Уайта. М.: Мир, 1979
Баранов А.М., Малов Ю.А., Терешин С.А. // Письма в ЖТФ. 1997. Т. 23. N 21
Зайцев Ю.В., Громов В.С., Григораш Т.С. Полупроводниковые термоэлектрические преобразователи. М.: Радио и связь, 1985. 120 с
Камилов Т.С., Клечковская В.В., Шарипов Б.З., Тураев А. // ЖТФ. 2013. Т. 83. Вып. 8. С. 140--142

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель