"Журнал технической физики"
Издателям
Вышедшие номера
Магниторезистивная среда на основе пленочной структуры Fe20Ni80/Fe50Mn50
Васьковский В.О., Лепаловский В.Н., Горьковенко А.Н., Кулеш Н.А., Савин П.А., Свалов А.В., Степанова Е.А., Щёголева Н.Н., Ювченко А.А.1
1Уральский федеральный университет, Екатеринбург, Россия
Поступила в редакцию: 13 марта 2014 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2014 г.

Исследовано влияние ряда физико-технологических факторов на микроструктуру, магнитные и магниторезистивные свойства пленочных структур на основе бислоев Fe20Ni80/Fe50Mn50 с обменным (магнитным) смещением. Определены зависимости поля магнитного смещения, коэрцитивной силы, величины эффекта анизотропии магнитосопротивления от порядка осаждения и толщины слоев в пленочных структурах, температуры подложки, температуры отжига, температуры измерений для пленок, полученных магнетронным распылением, в том числе в условиях высокочастотного электрического смещения на подложке. Показано, что пленочная структура SiO2/Ta(5)/Fe20Ni80(5)/Fe50Mn50(20)/Fe20Ni80(40)/Ta(5) обладает оптимальным сочетанием свойств как магниторезистивная среда с внутренним магнитным смещением. Приведены результаты испытания магнитных сенсоров, изготовленных из этого материала по технологии оптической фотолитографии.
  • Dieny B. / Ed. by M. Johnson. 2004. P. 67-149
  • Coehoorn R. Handbook of Magnetic Materials / Ed. by K.H.J. Buschow. 2003. Vol. 15. P. 1-198
  • Nogues J., Sort J., Langlais V., Skumryev V., Surinach S., Munoz J.S., Baro M.D. // Phys. Rep. 2005. Vol. 422. P. 65-117
  • Курляндская Г.В., де Кос Д., Волчков С.О. // Дефектоскопия. 2009. Т. 45. Вып. 6. С. 13-42
  • Васьковский В.О., Балымов К.Г., Ювченко А.А., Свалов А.В., Сорокин А.Н., Кулеш Н.А. // ЖТФ. 2011. Т. 81. Вып. 7. С. 83-87
  • Kurlyandskaya G.V., Garcia-Arribas A., Fernandez E., Svalov A.V. // IEEE Trans. Magn. 2012. Vol. 48. N 4. P. 1375-1380
  • Chen K.-C., Wu Y.H., Wu K.-M., Wu J.C., Horng L. // J. Appl. Phys. 2007. Vol. 101. P. 09E516 1-3
  • Kim K.-Y., Choi H.-C., You C.-Y., Lee J.-S. // J. Appl. Phys. 2009. Vol. 105. P. 07D715 1-3
  • Lepalovskij V.N., Vas'kovskij V.O. // J. Magn. Magn. Mater. 1996. Vol. 160. P. 343-344
  • Svalov A.V., Savin P.A., Lepalovskij V.N., Larranaga A., Vas'kovskiy V.O., Garcia Arribas A., Kurlyandskaya G.V. // AIP Adv. 2013. Vol. 3. P. 092104 (8)
  • Васьковский В.О., Мухаметов В.Г., Савин П.А. // Микроэлектроника. 1994. Т. 23. Вып. 3. С. 66-3
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.