Проведено исследование эмиссионных свойств углеродных пленок, наносимых на кремниевые подложки методом магнетронного распыления. Структура пленок варьировалась изменением температуры подложки. Установлено, что наилучшие эмиссионные свойства достигаются для покрытия, состоящего из графитизированных островков с поперечными размерами 30-40 nm и толщиной 3-4 nm. Этот результат хорошо согласуется с данными, полученными ранее для пленок, сформированных методом химического осаждения из газовой фазы. Это позволяет утверждать, что именно структура углеродного покрытия определяет его эмиссионные свойства. Обсуждается модель эмиссионного механизма для пленок исследуемого типа.
Karabutov A.V., Frolov V.D., Konov V.I. et al. //. J. Vac. Sci. Technol. B. 2001. V. 19. P. 965
Okotrub A.V., Bulusheva L.G., Gusel'nikov A.V., Kuznetsov V.L., Butenko Yu.V. // Carbon. 2004. V. 42. P. 1099
Shpilman Z., Michaelson Sh., Kalish R., Hoffman A. // Diam. Relat. Mater. 2006. V. 15. P. 846
Uppireddi K., Weiner B.R., Morell G. // J. Vac. Sci. Technol. B. 2010. V. 28. P. 1202
Nose K., Fujita R., Kamiko M., Mitsuda Y. // J. Vac. Sci. Technol. B. 2012. V. 30. P. 011204
Arkhipov A.V., Gabdullin P.G., Krel S.I. et al. // Fuller. Nanotub. Car. N. 2012. V. 20. N 4--7. P. 468
Dimitriadis C.A., Hastas N.A., Vouroutzis N., Logothetidis S., Panayiotatos Y. // J. Appl. Phys. 2001. V. 89. P. 7954
Tay B.K., Sheeja D., Lau S.P. et al. // Surf. Coat. Tech. 2000. V. 130. P. 248
Chhowalla M., Ferrari A.C., Robertson J., Amaratunga G.A.J. // Appl. Phys. Lett. 2000. V. 76. P. 1419
Chen X., Sullivan J. P., Friedmann T. A., Gibson J.M. // Appl. Phys. Lett. 2004. V. 84. P. 2823
Naramoto H., Zhu X., Xu Y. et al. // ФТТ. 2002. T. 44. C. 643
Huang P.-C., Shih W.-C., Chen H.-C., Lin I-N. // J. Appl. Phys. 2011. V. 109. P. 084 309
Carey J.D., Silva S.R.P. // Phys. Rev. B. 2004. V. 70. P. 235 417
Panwar O.S., Khan M.A., Satyanarayana B.S. et al. // J. Vac. Sci. Technol. B. 2010. V. 28. P. 411
Елецкий А.В. // УФН. 2010. Т. 180. В. 9. С. 897
Malesevic A., Kemps R., Vanhulsel A. et al. // J. Appl. Phys. 2008. V. 104. P. 084 301
Liu J., Zeng B., Wang X., Zhu J., Fan Y. // Appl. Phys. Lett. 2012. V. 101. P. 153 104
Образцов А.Н., Павловский И.Ю., Волков А.П. // ЖТФ. 2001. Т. 71. B. 11. С. 89
Pandey A., Guyot-Sionnest P. // Science. 2008. V. 322. P. 929
Tisdale W.A., Williams K.J., Timp B.A. et al. // Science. 2010. V. 328. P. 1543
Benisty H. // Phys. Rev. B. 1995. V. 51. P. 13 281
Inoshita T., Sakaki H. // Physica. B. 1996. V. 227. P. 373
Mukai K., Sugawara M. // Self-Assembled InGaAs/GaAs Quantum Dots. San Diego: Academic Press, 1999. V. 60. P. 209
Kokkorakis G.C., Xanthakis J.P. // Surf. Interface Anal. 2007. V. 39. P. 135
Arkhipov A.V., Gabdullin P.G., Mishin M.V. // Fuller. Nanotub. Car. N. 2011. V. 19. P. 86
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.