Издателям
Вышедшие номера
Деформация слоев в сверхрешетках AlGaN/GaN по данным рентгенодифракционного анализа
Кютт Р.Н.1, Щеглов М.П.1, Давыдов В.Ю.1, Усиков А.С.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 23 июня 2003 г.
Выставление онлайн: 20 января 2004 г.

-1 Методом трехкристальной рентгеновской дифрактометрии проведены структурные исследования нитридных сверхрешеток AlGaN/GaN, выращенных методом MOCVD на сапфире с буферным слоем GaN и AlGaN, для которых в широком интервале варьировались: период СР (от 50 до 3500 Angstrem), содержание Al в слоях AlxGa1-xN (0.1 =<q x=<q0.5) и состав буферного слоя. Характерные для СР пики-сателлиты вплоть до третьего порядка хорошо выявляются на theta-2theta-кривых симметричных брэгговских отражений, theta-кривых симметричной Лауэ-геометрии. Соответствующие кривые хорошо моделируются на основе кинематических формул. С использованием комбинации симметричных брэгговского и лауэвского отражений определены как средние параметры СР, так и толщина, состав и деформация отдельных слоев. Показано, что все исследованные образцы являются частично релаксированными структурами с релаксацией упругих напряжений как между СР в целом и буферным слоем, так и между отдельными слоями. Слои AlGaN находятся в состоянии растяжения, а слои GaN --- в состоянии сжатия, при этом по абсолютной величине сжатие слоев GaN больше, чем растяжение слоев AlGaN, что обусловлено вкладом термоупругих напряжений. Работа поддержана Российским фондом фундаментальных исследований (гранты N 03-02-16164 и 03-02-17562), Президиумом РАН (комплексная программа научных исследований "Низкоразмерные квантовые структуры") и МО РФ (грант N E02-3.4-182).
  • S. Nakamura, M. Senoh, S. Nagahama, N. Iwasa, T. Yamada, T. Matsushita, H. Kiyoku, Y. Sugimoto, T. Kozaki, H. Umemoto, M. Sano, K. Chocho. Appl. Phys. Lett. 72, 211 (1998)
  • O. Ambacher, J. Smart, J.R. Shealy, N.G. Weimann, K. Chu, M. Murphi, W.J. Schaff, L.F. Eastman, R. Dimitrov, L. Wittner, M. Stutzman, W. Rieger, J. Hilsenbeck. J. Appl. Phys. 85, 3222 (1999)
  • V.Yu. Davydov, A.A. Klochikhin, I.E. Kozin, V.V. Emtsev, I.N. Goncharuk, A.N. Smirnov, R.N. Kyutt, M.P. Scheglov, A.V. Zakharov, W.V. Lundin, E.E. Zavarin, A.S. Usikov. Phys. Stat. Sol. (a) 188, 863 (2001)
  • P. Cozodoy, M. Hansen, S.P. DenBaars, M.K. Mishra. Appl. Phys. Lett. 74, 3681 (1999)
  • S. Tripathy, S.J. Chua, P. Chen, Z.L. Miao. J. Appl. Phys. 92, 3503 (2002)
  • D. Korakakis, K.F. Ludwig, T.D. Moustakas. Appl. Phys. Lett. 72, 1004 (1998)
  • R. Langer, J. Simon, O. Konovalov, N. Pelekanos, A. Barski, M. Leszczy'ski. MRS-Internet J. Nitride Semicond. Res. 3, 46 (1998)
  • Cho Yong-Hoon, F. Feller, R.J. Hauenstein, G.H. Park, J.J. Song, S. Keller, U.K. Mishra, S.P. DenBaars. J. Appl. Phys. 85, 3006 (1999)
  • A. Saxler, P. Debray, R. Perrin, S. Elhamri, W.C. Mitchel, C.R. Elsass, I.P. Smorchkova, B. Hejing, E. Haus, P. Fini, J.P. Ibbetson, S. Keller, P.M. Petroff, S.P. DenBaars, U.K. Mishra, J.S. Spek. J. Appl. Phys. 87, 369 (2000)
  • J. Bai, T. Wang, S. Sakai. J. Appl. Phys. 90, 1740 (2001)
  • S. Yamaguchi, M. Kosaki, Y. Watanabe, Y. Yukawa, S. Nitta, H. Amano, I. Akasaki. Appl. Phys. Lett. 79, 3062 (2001)
  • A. Dadgar, J. Christen, T. Riemann, S. Richter, J. Blassing, A. Diez, A. Krost, A. Alam, M. Heuken. Appl. Phys. Lett. 78, 2211 (2001)
  • S. Einfeldt, H. Heinke, V. Kirchner, D. Hommel. J. Appl. Phys. 89, 2160 (2001)
  • M.A. Tagliente, L. De Caro, L. Tapfer, P. Waltereit, O. Brandt, K.-H. Ploog. J. Appl. Phys. 92, 70 (2002)
  • H.-M. Wang, J.-P. Zhang, C.-Q. Chen, Q. Fareed, J.-W. Yang, M.A. Khan. Appl. Phys. Lett. 81, 604 (2002)
  • Z. Zhong, O. Ambacher, A. Link, V. Holy, J. Stangl, R.T. Lechner, T. Roch, G. Bauer. Appl. Phys. lett. 80, 3521 (2002)
  • B. Heying, X. H. Wu, S. Keller, Y. Li, D. Kapolnek, B.P. Keller, S.P. DenBaars, J.S. Speck. Appl. Phys. Lett. 68, 643 (1996)
  • T. Metzger, R. Hopler, E. Born, O. Ambacher, M. Stutzmann, R. Stommer, M. Schuster, H. Gobel, S. Christiansen, M. Albrecht, H.P. Strunk. Phil. Mag. A 77, 1013 (1998)
  • R. Kyutt, V. Ratnikov, G. Mosina, M. Scheglov. Solid Stat. Phys. 41, 25 (1999)
  • V.S. Speriosu, T. Vreeland. J. Appl. Phys. 56, 1591 (1984)
  • R.N. Kyutt, A.A. Toropov, T.V. Shubina, S.V. Sorokin, M. Karlsteen, M. Willander. Appl. Surf. Sci. 166, 341 (2000)
  • H. Angeger, D. Brunner, F. Freudenberg, O. Ambacher, M. Stutzman, R. Hopler, T. Metzger, E. Born, G. Dollinger, A. Bergmaier, S. Karsh, H.-J. Korner. Appl. Phys. Lett. 71, 1504 (1997)
  • D. Polan, M. Grimsditch, I. Grzegory. J. Appl. Phys. 79, 3343 (1996)
  • V. Ratnikov, R. Kyutt, T. Shubina, T. Pashkova, E. Valcheva, B. Monemar. J. Appl. Phys. 88, 6252 (2000)
  • V.V. Ratnikov, R.N. Kyutt, T.V. Shubina, T. Pashkova, B. Monemar. J. Phys. D: Appl. Phys. 34, A30 (2001)
  • C.G. Jiao, D. Cherns. Inst. Phys. Conf. Ser. 169, 327 (2001)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.