Издателям
Вышедшие номера
Транспортные свойства нанокомпозитных термоэлектрических материалов на основе Si и Ge
Овсянников Д.А.1, Попов М.Ю.1,2,3, Буга С.Г.1,2, Кириченко А.Н.1, Тарелкин С.А.1,3, Аксененков В.В.1, Татьянин Е.В.1, Бланк В.Д.1,2,3
1Технологический институт сверхтвердых и новых углеродных материалов, Троицк, Москва, Россия
2Московский физико-технический институт (Государственный университет), Долгопрудный, Россия
3Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС", Москва, Россия
Email: dao@tisnum.ru
Поступила в редакцию: 15 сентября 2014 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2015 г.

Проведены экспериментальные исследования модификации транспортных свойств (теплопроводность, электропроводность и коэффициент Зеебека) наноструктурированных термоэлектриков на основе Ge и Si-Ge с включениями второй фазы. В качестве модифицирующих включений в нанокомпозите Ge-C60 присутствовали фуллерен C60, располагающийся по границам зерен германия, и нанокристаллы SiC размером 1-5 nm в нанокомпозите Si-Ge-SiC. В частности, наличие таких включений приводит к увеличению коэффициента Зеебека в области температур выше 600 K и в целом к возрастанию термоэлектрической эффективности ZT в 1.5-2 раза по сравнению с аналогичными характеристиками наноструктурированных термоэлектриков на основе Si-Ge без модифицирующих включений второй фазы. Работа выполнена при финансовой поддержке Министерства образования и науки РФ в рамках базовой части государственного задания НИТУ "МИСиС" и ГК N 14.577.21.0090 с использованием оборудования центра коллективного пользования ФГБНУ ТИСНУМ.
  • Z. Zamanipour, X. Shi, A.M. Dehkordi, J.S. Krasinski, D. Vashaee. Phys. Status Solidi A 209, 10, 2049 (2012)
  • Z. Zamanipour, E. Salahinejad, P. Norouzzadeh, J.S. Krasinski, L. Tayebi, D. Vashaee. J. Appl. Phys. 114, 023 705 (2013)
  • G. Joshi, H. Lee, Y. Lan, X. Wang, G. Zhu, D. Wang, R.W. Gould, D.C. Cuff, M.Y. Tang, M.S. Dresselhaus, G. Chen, Z. Ren. Nano Lett. 8, 12, 4670 (2008)
  • X.W. Wang, H. Lee, Y.C. Lan, G.H. Zhu, G. Joshi, D.Z. Wang, J. Yang, A.J. Muto, M.Y. Tang, J. Klatsky, S. Song, M.S. Dresselhaus, G. Chen, Z.F. Ren. Appl. Phys. Lett. 93, 193 121 (2008)
  • P. Dismukes, L. Ekstrom, E.F. Steigmeier, I. Kudman, D.S. Bears. J. Appl. Phys., 35, 10, 2899 (1964)
  • Thermoelectric handbook macro to nano / Ed. D.M. Rowe. CRC Press, Boca Raton (2006). 1014 p
  • A. Ioffe. Sci. Am. 199, 31 (1958)
  • V.V. Medvedev, M.Y. Popov, B.N. Mavrin, V.N. Denisov, A. Kirichenko, E.V. Tat'yanin, L.A. Ivanov, V.V. Aksenenkov, S.A. Perf, R. Lomakin, V.D. Blank. Appl. Phys. A 105, 1, 45 048 (2011)
  • M. Popov, V. Medvedev, V. Blank, V. Denisov, A. Kirichenko, E. Tat'yanin, V. Aksenenkov, S. Perf, R. Lomakin, E. D'yakov. J. Appl. Phys. 108, 9, 094 317 (2010)
  • E.I. Rogacheva, O.N. Nashchekina, T.V. Tavrina, M. Us, M.S. Dresselhaus, S.B. Cronin, O. Rabin. Physica E 17, 313 (2003)
  • E.I. Rogacheva, T.V. Tavrina, O.N. Nashchekina, S.N. Grigorov, K.A. Nasedkin, M.S. Dresselhaus, S.B. Cronin. Appl. Phys. Lett. 80, 15, 2690 (2002)
  • M. Popov, S. Buga, P. Vysikaylo, P. Stepanov, V. Skok, V. Medvedev, E. Tatyanin, V. Denisov, A. Kirichenko, V. Aksenenkov, V.V. Blank. Phys. Status Solidi A 208, 12, 2783 (2011)
  • G. Chen. In: Semiconductors and Semimetals. Academic Press (2001). V. 71. P. 203
  • L. Hicks, M. Dresselhaus. Phys. Rev. B 47, 16 631 (1993)
  • G. Chen. Phys. Rev. B 57, 14 958 (1998)
  • R. Venkatasubramanian, E. Siivola, T. Colpitts, B. O'Quinn. Nature 413, 597 (2001)
  • C.M. Bhandari, D.M. Rowe. Contemp. Phys. 21, 219 (1980)
  • G.A. Slack, M.S. Hussain. J. Appl. Phys. 70, 2694 (1991)
  • C.B. Vining. J. Appl. Phys. 69, 331 (1991)
  • Semiconductors and Semimetals / Ed. T.M. Tritt. Academic Press (2001). V. 69. 326 p
  • W. Kim, J. Zide, A. Gossard, D. Klenov, S. Stemmer, A. Shakouri, A. Majumdar. Phys. Rev. Lett. 96, 045 901 (2006)
  • T.C. Harman, P.J. Taylor, M.P. Walsh, B.E. LaForge. Science 297, 2229 (2002)
  • J. Minnich, M.S. Dresselhaus, Z.F. Ren, G. Chen. Energy Environ. Sci. 2, 466 (2009)
  • Д.А. Овсянников, М.Ю. Попов, С.Г. Буга, В.В. Аксененков, А.Н. Кириченко, Р.Л. Ломакин, С.А. Тарелкин, Е.В. Татьянин, В.Д. Бланк. Тр. МФТИ 4, 3 (15), 36 (2012)
  • Д.А. Овсянников, М.Ю. Попов, С.Г. Буга, А.Н. Кириченко, С.А. Тарелкин, В.В. Аксененков. Изв. вузов. Химия и хим. технология 56, 7, 63 (2013)
  • M. Ferrari, L. Lutterotti. J. Appl. Phys. 76, 724 (1994)
  • L. Vegard. Z. Phys. 5, 1, 17 (1921)
  • T.S. Perova, J. Wasyluk, S.A. Kukushkin, A.V. Osipov, N.A. Feoktistov, S.A. Grudinkin. Nanoscale Res. Lett. 5, 1507 (2010)
  • F. Schaffler. In: Properties of Advances semiconductor materials GaN, AlN, InN, BN, SiC, SiGe / Eds M.E. Levinshtein, S.L. Rumyantsev, M.S. Shur. John Wiley \& Sons, Inc., NY (2001). P. 149.
  • T.H. Geballe, G.W. Hull. Phys. Rev. 98, 940 (1955)
  • T.H. Geballe, G.W. Hull. Phys. Rev. 94, 1134 (1954)
  • N.F. Mott, H. Jones. The theory of the properties of metals and alloys. The Clarendon Press, Oxford (1936). 341 p
  • V.N. Brudnyi, S.N. Grinyaev, V.E. Stepanov. Physica B 212, 429 (1995)
  • V.N. Brudnyi, S.N. Grinyaev, N.G. Kolin. Physica B 348, 213, (2004)
  • D.R. Khanal, W.L. Joanne, W. Walukiewicz, J. Wu. Nano Lett. 7, 5, 1186 (2007)
  • W. Walukiewicz. Appl. Phys. Lett. 54, 21, 2094 (1989)
  • W. Walukiewicz. Physica B 302-- 303, 123 (2001)
  • Р.З Валиев, И.В. Александров. Объемные наноструктурные металлические материалы: получение, структура и свойства. Академкнига, М. (2007). 398 с.
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.