Издателям
Вышедшие номера
Формирование силицидов марганца на поверхности Si(111)7x7
Гомоюнова М.В.1, Гребенюк Г.С.1, Пронин И.И.1, Сеньковский Б.В.2,3, Вялых Д.В.2,3
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Institute of Solid State Physics, Dresden University of Technology, Dresden, Germany
3Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург, Россия
Email: Igor.Pronin@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 7 октября 2014 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2015 г.

Методом фотоэлектронной спектроскопии высокого энергетического разрешения с использованием синхротронного излучения исследованы начальные стадии роста пленок марганца на поверхности Si(111)7x7, находящейся при комнатной температуре, и реакции твердофазного синтеза силицидов марганца, протекающие при отжиге этих пленок в диапазоне температур до 600oC. Показано, что нанесение Mn на поверхность кремния приводит к образованию интерфейсного силицида марганца и пленки твердого раствора кремния в марганце. Рост металлической пленки марганца начинается после нанесения ~6 Angstrem Mn. При этом в диапазоне покрытий до 17 Angstrem Mn наблюдается сегрегация кремния. Отжиг образца, на поверхность которого было нанесено 25 Angstrem Mn, проводимый в интервале температур 200/400oC, приводит к формированию твердого раствора Mn-Si и моносилицида марганца. Дальнейшее повышение температуры до 600oC приводит к перестройке MnSi в полупроводниковый силицид MnSi1.7. Работа выполнена при частичной поддержке РФФИ (грант N 13-02-00398) и Российско-Германской лаборатории в HZB BESSY II.
  • S.L. Zhang, M. Ostling. Crit. Rev. Solid State Mater. Sci. 28, 1 (2003)
  • A.L. Schmitt, J.M. Higgins, J.R. Szczech, S. Jin. J. Mater. Chem. 20, 223 (2010)
  • C.A. Nolph, E. Vescovo, P. Reinke. Appl. Surf. Sci. 255, 7642 (2009)
  • M.M.R. Evans, J.C. Glueckstein, J. Nogami. Phys. Rev. B, 53, 4000 (1996)
  • S.M. Shivaprasad, C. Anandan, S.G. Azatyan, Y.L. Gavriljuk, V.G. Lifshits. Surf. Sci. 382, 258 (1997)
  • T. Nagai, S. Ohuchi, Y. Matsuoka, S. Hasegava. Surf. Sci. 419, 134 (1999)
  • S. Azatyan, M. Iwari, V.G. Lifshits. Surf. Sci. 589, 106 (2005)
  • K.H. Kim, J.D. Lee, J.J. Lee, S.W. Han, J.-S. Kang. J. Korean Phys. Soc. 51, 1032 (2007)
  • S. Azatyan, M. Hirai, M. Kusaka, M. Iuami. Appl. Surf. Sci. 237, 105 (2004)
  • E. Magnano, F. Bondino, C. Cepek, F. Parmigiani, M.C. Mozzati. Appl. Phys. Lett. 96, 152503 (2010)
  • S.G. Azatyan, O.A. Utas, N.V. Denisov, A.V. Zotov, A.A. Saranin. Surf. Sci. 605, 289 (2011)
  • T. Suzuki, T. Lutz, B. Geisler, P. Kratzer, K. Kern, G. Costantini. Surf. Sci. 617, 106 (2013)
  • С.Н. Варнаков, М.В. Гомоюнова, Г.С. Гребенюк, В.Н. Заблуда, С.Г. Овчинников, И.И. Пронин. ФТТ. 56, 2, 375 (2014)
  • С.Н. Варнаков, М.В. Гомоюнова, Г.С. Гребенюк, В.Н. Заблуда, С.Г. Овчинников, И.И. Пронин. ФТТ. 56, 4, 779 (2014)
  • R.I.G. Uhrberg, T. Kaurila, Y.-C. Chao. Phys. Rev. B 58, R1730 (1998)
  • I.I. Pronin, M.V. Gomoyunova, D.E. Malygin, D.V. Vyalikh, Yu.S. Dedkov, S.L. Molodtsov. J. Appl. Phys., 104, 104 914 (2008)
  • М.В. Гомоюнова, И.И. Пронин. ЖТФ 74, 10, 1 (2004)
  • E. Karhu, S. Kahwaji, T.L. Monchesky, C. Parsons, M.D. Robertson, C. Maunders. Phys. Rev. B 82, 184 417 (2010)
  • Y.C. Lian, L.J. Chen. Appl. Phys. Lett. 48, 358 (1986)
  • F. Sirotti, M. DeSantis, X. Jin, G. Rossi. Phys. Rev. B 49, 11 134 (1994)
  • M.V. Gomoyunova, D.E. Malygin, I.I. Pronin, A.S. Voronichikhin, D.V. Vyalikh, S.L. Molodtsov. Surf. Sci. 601, 5069 (2007)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.