Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 2015, выпуск 4 » Статья стр. 15
<<<>>>
Образование нитридов на поверхности монокристаллического GaAs в криогенной жидкости при облучении ультразвуком
Савкина Р.К.1, Смирнов А.Б.1
1Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
Email: r_savkina@isp.kiev.ua
Поступила в редакцию: 26 июня 2014 г.
Выставление онлайн: 20 января 2015 г.
PDF версия
Представлен разработанный авторами и успешно примененный метод структурирования поверхности полупроводника, в основе которого лежит применение явления кавитации, возбужденной в жидкости сфокусированным ультразвуком. Установлено, что на поверхности образцов монокристаллического (001) GaAs, помещенного в жидкий азот, в котором при помощи сфокусированных ультразвуковых колебаний частотой ~ 1 МHz и мощностью ~ 15 W/cm2 возбуждалось явление кавитации, образуется субмикронный рельеф - волнообразные и концентрические структуры высотой до 300 nm с небольшими округлыми выпуклостями. Данные спектров комбинационного рассеивания и энергодисперсионной рентгеновской спектроскопии подтверждают образование соединения GaAs1-xNx с содержанием азота на уровне 5-7%.
  1. Xu H., Zeiger B.W., Suslick K.S. // Chem. Soc. Rev. 2013. V. 42. P. 2555--2567
  2. Miller D.L. // Progress in biophysics and molecular biology. 2007. V. 93. N 1. P. 314--330
  3. Chemat F., Khan M.K. // Ultrasonics Sonochemistry. 2011. V. 18. N 4. P. 813--835
  4. Kanegsberg B., Kanegsberg E. (Ed.) Critical Cleaning Process Applications Management Safety and Environmental Concerns. CRC press, 2011
  5. Bang J.H., Suslick K. // Adv. Mater. 2010. V. 22. P. 1039--1059
  6. Baranchikov A.Ye., Ivanov V.K., Tretyakov Yu.D. // Russian Chemical Reviews. 2007. V. 76. P. 133--151
  7. Savkina R.K. // Recent Patents on Electrical \& Electronic Engineering. 2013. V. 6. N 3. P. 157--172
  8. Arata Y., Zhang Y.-Ch. // Appl. Phys. Lett. 2002. V. 80. N 13. P. 2416--2418
  9. Nomura S., Toyota H. // Appl. Phys. Lett. 2003. V. 83. N 22. P. 4503--4505
  10. Khachatryan A.Kh., Aloyan S.G., May P.W., Sargsyan R., Khachatryan V.A., Baghdasaryan V.S. // Diamond \& Related Materials. 2008. V. 17. P. 931--936
  11. Savkina R.K., Smirnov A.B. // J. Physics. D: Appl. Phys. 2010. V. 43. P. 425 301-6
  12. Savkina R.K. // Functional Materials. 2012. V. 19. N 1. P. 38--43
  13. Berkovits V.L., Paget D., Karpenko A.N., Ulin V.P., Tereshchenko O.E. // Appl. Phys. Lett. 2007. V. 90. P. 022 104-3
  14. Sciana B., Zborowska-Lindert I., Pucicki D., Boratynski B., Radziewicz D., Tlaczala M., Serafinczuk J., Poloczek P., Sek G., Misiewicz J. // Opto-Electron. Rev. 2008. V. 16. P. 1--7
  15. www.matprop.ru/GaAs\_bandstr
  16. Tisch U., Finkman E., Salzman J. // Appl. Phys. Lett. 2002. V. 81. P. 463--465
  17. Gorczyca I., Christensen N.E., Svane A. // Sol. State Comm. 2005. V. 136. P. 439--449

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme