Издателям
Вышедшие номера
Механизмы формирования морфологических особенностей микротрубок в объемных кристаллах карбида кремния
Аргунова Т.С.1, Гуткин М.Ю.2,3,4, Кон В.Г.5, Мохов Е.Н.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Институт проблем машиноведения РАН, Санкт-Петербург, Россия
3Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, Санкт-Петербург, Россия
4Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики, Санкт-Петербург, Россия
5НИЦ "Курчатовский институт", Москва, Россия
Email: argunova2002@mail.ru
Поступила в редакцию: 16 октября 2014 г.
Выставление онлайн: 20 марта 2015 г.

Экспериментально и теоретически изучены новые морфологические особенности дислокационных микротрубок в монокристаллах SiC. Показано, что цилиндрическая форма микротрубок неустойчива, а размеры сечений микротрубок изменяются вдоль их осей. Экспериментальные результаты получены путем измерения изображений микротрубок методом рентгеновской фазово-контрастной микроскопии на источнике высоко-когерентного синхротронного излучения. Размеры сечений микротрубок определены при помощи компьютерного моделирования их изображений. Предложена теоретическая модель превращения дислокаций в микротрубки за счет неравновесных процессов трубочной диффузии и коагуляции вакансий на дислокациях, параллельных оси роста кристалла. М.Ю. Гуткин благодарит РНФ (грант N 14-29-00086) и Е.Н. Мохов благодарит РФФИ (грант N 13-02-00802) за поддержку исследований.
  • C.R. Eddy, D.K. Gaskill Jr. Science 324, 1398 (2009)
  • F.C. Frank. Acta Cryst. 4, 497 (1951)
  • W. Si, M. Dudley, R. Glass, V. Tsvetkov, C. Carter. J. Electron. Mater. 26, 128 (1997)
  • J. Giocondi, G.S. Rohrer, M. Skowronski, V. Balakrishna, G. Augustine, H.M. Hobgood, R.H. Hopkins. Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 423, 539 (1996)
  • J. Heindl, W. Dorsch, R. Eckstein, D. Hofmann, T. Marek, St.G. Muller, H.P. Strunk, A. Winnacker. J. Cryst. Growth 179, 510 (1997)
  • H.P. Strunk, W. Dorsch, J. Heindl. Adv. Eng. Mater. 2, 386 (2000)
  • X. Ma. J. Appl. Phys. 99, 063 513 (2006)
  • X. Ma. Mater. Sci. Eng.: B 129, 216 (2006)
  • X.R. Huang, M. Dudley, W.M. Vetter, W. Huang, S. Wang, C.H. Carter Jr. Appl. Phys. Lett. 74, 353 (1999)
  • M. Dudley, X.R. Huang, W. Huang, A. Powell, S. Wang, P. Neudeck, M. Skowronski. Appl. Phys. Lett. 75, 784 (1999)
  • P. Pirouz. Phil. Mag. A 78, 727 (1998)
  • N. Ohtani, M. Katsuno, T. Fujimoto, T. Aigo, H. Yashiro. J. Cryst. Growth 226, 254 (2001)
  • G. Augustine, McD. Hobgood, V. Balakrishna, G. Dunne, R.H. Hopkins. Phys. Status Solidi: B 202, 137 (1997)
  • С.Ю. Давыдов, А.А. Лебедев. ФТП 45, 743 (2011)
  • V.G. Kohn, T.S. Argunova, J.H. Je. Appl. Phys. Lett. 91, 171 901 (2007)
  • T.S. Argunova, M.Yu. Gutkin, J.H. Je, V.G. Kohn, E.N. Mokhov. In: Physics and Technology of Silicon Carbide Devices / Ed. Y. Hijikata. Intech Publications, Rijeka, Croatia (2013). Ch. 2, P. 27
  • Yu.A. Vodakov, A.D. Roenkov, M.G. Ramm, E.N. Mokhov, Yu.N. Makarov. Phys. Status Solidi B 202, 177 (1997)
  • N. Ohtani, M. Katsuno, H. Tsuge, T. Fujimoto, M. Nakabayashi, H. Yashiro, M. Sawamura, T. Aigo, T. Hoshino. Microelectron. Eng. 83, 142 (2006)
  • D. Siche, H-J. Rost, J. Doerschel, D. Schulz, J. Wollweber. J. Cryst. Growth 237- 239, 1187 (2002)
  • M.Yu. Gutkin, A.G. Sheinerman, M.A. Smirnov, T.S. Argunova, J.H. Je, S.S. Nagalyuk, E.N. Mokhov. J. Appl. Phys. 106, 123 515 (2009)
  • M. Born, E. Wolf. Principles of optics. 4-th Ed. Pergamon Press, London (1968). Ch. 10
  • V.G. Kohn, T.S. Argunova, J.H. Je. AIP Advances 3, 122 109 (2013)
  • Т.С. Аргунова, В.Г. Кон, J.H. Je. Поверхность 12, 48 (2008)
  • В.Г. Кон, Т.С. Аргунова, J.H. Je. Поверхность 1, 5 (2011)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.