Показано, что в гетеросистеме GeSi/Si(001) при несоответствии параметров решеток ~2% и более малая критическая толщина введения дислокаций приводит к реализации механизма наведенного зарождения дислокаций несоответствия. Этот механизм заключается в том, что поле напряжений ранее возникшей 60o дислокации провоцирует введение вторичной 60o дислокации с винтовой компонентой противоположного знака. В результате взаимодействия таких дислокационных пар образуются краевые дислокации несоответствия, которые и определяют процесс пластической релаксации. Этот механизм наиболее эффективно проявляется, когда введение дислокаций происходит при толщине пленок GeSi, только незначительно превышающей критическую толщину введения 60o дислокаций, и присутствуют пронизывающие дислокации. Изменяя параметр несоответствия в гетеропаре, можно управлять доминирующим типом дислокаций несоответствия (60o или краевые) в системе Ge на Si (001).
M. Bossi, G. Attolini. Progr. Cryst. Growth Charact. Mater. 56, 146 (2010)
E.A. Fitzgerald, Y.H. Xie, M.L. Green, D. Brasen, A.R. Kortan, J. Michel, Y.-J. Mii, B.E. Weir. Appl. Phys. Lett. 59, 811 (1991)
M. Currie, S.B. Samavedam, T.C. Langdo, W. Leitz, E.A. Fitzgerald. Appl. Phys. Lett. 72, 1718 (1998)
S.B. Samavedam, M. Currie, T. Langdo, E.A. Fitzgerald. Appl. Phys. Lett. 73, 2125 (1998)
K. Chilukuri, M.J. Mori, C.L. Dohrman, E.A. Fitzgerald. Semicond. Sci. Technol. 22, 29 (2007)
C. Rosenblad, H.R. Deller, A. Dommann, T. Meyer, P. Schroeter, H. von Kanel. J. Vacuum Sci. Technol. A 16, 2785 (1998)
R. Ginige, B. Corbett, M. Modreanu, C. Barrett, J. Hilgarth, G. Isella, D. Chrastina, H. von Kanel. Semicond. Sci. Technol. 21, 775 (2006)
G. Isella, J. Osmond, M. Kummer, R. Kaufmann, H. von Kanel. Semicond. Sci. Technol. 22, S26 (2007)
Yu.B. Bolkhovityanov, A.S. Deryabin, A.K. Gutakovskii, L.V. Sokolov. Acta Mater. 61, 617 (2013)
S. Mader, A.E. Blakeslee, J.J. Angilello. J. Appl. Phys. 45, 4730 (1974)
E.A. Fitzgerald, D.G. Ast, P.D. Kirchne, G.D. Pettit, J.M. Woodall. J. Appl. Phys. 63, 693 (1988)
V.I. Vdovin. J. Cryst. Growth 172, 58 (1997)
E.P. Kvam, D.M. Maher, C.J. Humpreys. J. Mater. Res. 5, 1900 (1990)
J. Narayan, S. Sharan. Mater. Sci. Engng. B 10, 261 (1991)
S.A. Dregia, J.P. Hirsh. J. Appl. Phys. 69, 2169 (1991)
Yu.B. Bolkhovityanov, A.S. Deryabin, A.K. Gutakovskii, L.V. Sokolov. J. Cryst. Growth 312, 3080 (2010)
Yu.B. Bolkhovityanov, A.S. Deryabin, A.K. Gutakovskii, L.V. Sokolov. J. Cryst. Growth 310, 3422 (2008)
Yu.B. Bolkhovityanov, A.S. Deryabin, A.K. Gutakovskii, L.V. Sokolov. J. Appl. Phys. 109, 123 519 (2011)
J.S. Speck, M.A. Brewer, G. Beltz, A.E. Romanov, W. Pompe. J. Appl. Phys. 80, 3808 (1996)
T.J. Gosling. J. Appl. Phys. 74, 5415 (1993)
K.H. Chang, P.K. Bhattacharya, R. Gibala. J. Appl. Phys. 66, 2993 (1989)
Ю.Б. Болховитянов, А.К. Гутаковский, А.С. Дерябин, Л.В. Соколов. ФТТ 56, 247 (2014).
Yu.B. Bolkhovityanov, A.S. Deryabin, A.K. Gutakovskii, M.A. Revenko. L.V. Sokolov. J. Cryst. Growth 293, 247 (2006)
R.S. Goldman, K.L. Kavanagh, H.H. Wieder, S.N. Ehrlich, R.M. Feenstra. J. Appl. Phys. 83, 5137(1998)
Y.B. Bolkhovityanov, L.V. Sokolov. Semicond. Sci. Technol. 27, 043 001 (2012)
P. Hirel, J. Godet, S. Brochard, L. Pizzagall, P. Beauchamp. Phys. Rev. B 78, 064 109 (2008)
L. Zuo, A.H.W. Ngan, G.P. Zheng. Phys. Rev. Lett. 94, 095 501 (2005)
T. Zhu, J. Li, A. Samanta, A. Leach, K. Gall. Phys. Rev. Lett. 100, 025 502 (2008)
J. Hornstra. J. Phys. Chem. Solids 5, 129 (1958)
A. Vila, A. Cornet, J.R. Morante. Appl. Phys. Lett. 68, 1244 (1996)
J.N. Stirman, P.A. Crozier, D.J. Smith, F. Philipp, G. Brill, S. Sivananthan. Appl. Phys. Lett. 84, 2530 (2004).