Издателям
Вышедшие номера
Роль краевых дислокаций в пластической релаксации гетероструктур GeSi/Si(001): зависимость механизмов введения от толщины пленки
Болховитянов Ю.Б.1, Гутаковский А.К.1, Дерябин А.С.1, Соколов Л.В.1
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова РАН, Новосибирск, Россия
Email: bolkhov@isp.nsc.ru
Поступила в редакцию: 29 сентября 2014 г.
Выставление онлайн: 20 марта 2015 г.

Показано, что в гетеросистеме GeSi/Si(001) при несоответствии параметров решеток ~2% и более малая критическая толщина введения дислокаций приводит к реализации механизма наведенного зарождения дислокаций несоответствия. Этот механизм заключается в том, что поле напряжений ранее возникшей 60o дислокации провоцирует введение вторичной 60o дислокации с винтовой компонентой противоположного знака. В результате взаимодействия таких дислокационных пар образуются краевые дислокации несоответствия, которые и определяют процесс пластической релаксации. Этот механизм наиболее эффективно проявляется, когда введение дислокаций происходит при толщине пленок GeSi, только незначительно превышающей критическую толщину введения 60o дислокаций, и присутствуют пронизывающие дислокации. Изменяя параметр несоответствия в гетеропаре, можно управлять доминирующим типом дислокаций несоответствия (60o или краевые) в системе Ge на Si (001).
  • M. Bossi, G. Attolini. Progr. Cryst. Growth Charact. Mater. 56, 146 (2010)
  • E.A. Fitzgerald, Y.H. Xie, M.L. Green, D. Brasen, A.R. Kortan, J. Michel, Y.-J. Mii, B.E. Weir. Appl. Phys. Lett. 59, 811 (1991)
  • M. Currie, S.B. Samavedam, T.C. Langdo, W. Leitz, E.A. Fitzgerald. Appl. Phys. Lett. 72, 1718 (1998)
  • S.B. Samavedam, M. Currie, T. Langdo, E.A. Fitzgerald. Appl. Phys. Lett. 73, 2125 (1998)
  • K. Chilukuri, M.J. Mori, C.L. Dohrman, E.A. Fitzgerald. Semicond. Sci. Technol. 22, 29 (2007)
  • C. Rosenblad, H.R. Deller, A. Dommann, T. Meyer, P. Schroeter, H. von Kanel. J. Vacuum Sci. Technol. A 16, 2785 (1998)
  • R. Ginige, B. Corbett, M. Modreanu, C. Barrett, J. Hilgarth, G. Isella, D. Chrastina, H. von Kanel. Semicond. Sci. Technol. 21, 775 (2006)
  • G. Isella, J. Osmond, M. Kummer, R. Kaufmann, H. von Kanel. Semicond. Sci. Technol. 22, S26 (2007)
  • Yu.B. Bolkhovityanov, A.S. Deryabin, A.K. Gutakovskii, L.V. Sokolov. Acta Mater. 61, 617 (2013)
  • S. Mader, A.E. Blakeslee, J.J. Angilello. J. Appl. Phys. 45, 4730 (1974)
  • E.A. Fitzgerald, D.G. Ast, P.D. Kirchne, G.D. Pettit, J.M. Woodall. J. Appl. Phys. 63, 693 (1988)
  • V.I. Vdovin. J. Cryst. Growth 172, 58 (1997)
  • E.P. Kvam, D.M. Maher, C.J. Humpreys. J. Mater. Res. 5, 1900 (1990)
  • J. Narayan, S. Sharan. Mater. Sci. Engng. B 10, 261 (1991)
  • S.A. Dregia, J.P. Hirsh. J. Appl. Phys. 69, 2169 (1991)
  • Yu.B. Bolkhovityanov, A.S. Deryabin, A.K. Gutakovskii, L.V. Sokolov. J. Cryst. Growth 312, 3080 (2010)
  • Yu.B. Bolkhovityanov, A.S. Deryabin, A.K. Gutakovskii, L.V. Sokolov. J. Cryst. Growth 310, 3422 (2008)
  • Yu.B. Bolkhovityanov, A.S. Deryabin, A.K. Gutakovskii, L.V. Sokolov. J. Appl. Phys. 109, 123 519 (2011)
  • J.S. Speck, M.A. Brewer, G. Beltz, A.E. Romanov, W. Pompe. J. Appl. Phys. 80, 3808 (1996)
  • T.J. Gosling. J. Appl. Phys. 74, 5415 (1993)
  • K.H. Chang, P.K. Bhattacharya, R. Gibala. J. Appl. Phys. 66, 2993 (1989)
  • Ю.Б. Болховитянов, А.К. Гутаковский, А.С. Дерябин, Л.В. Соколов. ФТТ 56, 247 (2014).
  • Yu.B. Bolkhovityanov, A.S. Deryabin, A.K. Gutakovskii, M.A. Revenko. L.V. Sokolov. J. Cryst. Growth 293, 247 (2006)
  • R.S. Goldman, K.L. Kavanagh, H.H. Wieder, S.N. Ehrlich, R.M. Feenstra. J. Appl. Phys. 83, 5137(1998)
  • Y.B. Bolkhovityanov, L.V. Sokolov. Semicond. Sci. Technol. 27, 043 001 (2012)
  • P. Hirel, J. Godet, S. Brochard, L. Pizzagall, P. Beauchamp. Phys. Rev. B 78, 064 109 (2008)
  • L. Zuo, A.H.W. Ngan, G.P. Zheng. Phys. Rev. Lett. 94, 095 501 (2005)
  • T. Zhu, J. Li, A. Samanta, A. Leach, K. Gall. Phys. Rev. Lett. 100, 025 502 (2008)
  • J. Hornstra. J. Phys. Chem. Solids 5, 129 (1958)
  • A. Vila, A. Cornet, J.R. Morante. Appl. Phys. Lett. 68, 1244 (1996)
  • J.N. Stirman, P.A. Crozier, D.J. Smith, F. Philipp, G. Brill, S. Sivananthan. Appl. Phys. Lett. 84, 2530 (2004).
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.