Издателям
Вышедшие номера
Влияние температуры на вольт-амперные характеристики композитных материалов, полученных на основе полипропиленовой матрицы и углеродных наполнителей
Степашкина А.С.1, Алешин А.Н2, Рымкевич П.П.3
1Санкт-Петербургский государственный университет технологии и дизайна, Санкт-Петербург, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3Военно-космическая академия им. А.Ф. Можайского, Санкт-Петербург, Россия
Email: Stepashkina.anna@yandex.ru
Поступила в редакцию: 5 ноября 2014 г.
Выставление онлайн: 20 марта 2015 г.

Получен композитный материал на основе полипропиленовой матрицы и углеродных наполнителей в форме пленок и блоков. Показано, что зависимость удельного электрического сопротивления композита от массовой доли наполнителя имеет пороговый характер. Измерены вольт-амперные характеристики композитных пленок при различных значениях температур в диапазоне 80-360 K. Найдена зависимость удельного электрического сопротивления композитов от температуры при разных значениях массовой доли наполнителей. Представлено теоретическое описание вольт-амперных характеристик при различных температурах.
  • A. Mdarhri, F. Carmona, C. Brossea, P.J. Delhaes. J. Appl. Phys. 103, 054 303 (2008)
  • X. Luo, D.D.L. Chung. Comp. Sci. Technol. 61, 317 (2001)
  • A. Malliaris, D.T. Turner. J. Appl. Phys. 42, 614 (1971)
  • J.M. Keith, J.A. King, B.A. Johnson. J. New Mater. Electrochem. Systems 11, 256 (2008)
  • А.Н. Левин. Полиэтилен и полипропилен. ГОСИНТИ, М. (1961) 190 с
  • P.J. Mather, K.M. Thomas. J. Mater. Sci. 32, 1711 (2011)
  • D.L. Chung, S. Wang. Smart Mater. Struct. 8, 161 (1999)
  • J. Anelim, G. Zakov, O. Mukbaniani. Chemstry Chem. Technol. 5, 75 (2011)
  • E. Bilotti, H. Zhang, H. Deng, R. Zhang. Composit. Sci. Technol. 74, 85 (2013)
  • О.А. Москалюк, А.Н. Алешин, Е.С. Цобкалло, А.В. Крестинин, В.Е. Юдин. ФТТ 54, 10, 1994 (2012)
  • D. Stauffer, A. Aharony. Introduction to percolation theory. 2nd ed. Taylor and Francis Inc., Philadelphia (1994). 156 p
  • Н. Мотт. Электроны в неупорядоченных структурах. Мир, М. (1969). 179 c
  • А.Л. Эфрос. Физика и геометрия беспорядка. Наука, М. (1982). 120 c
  • P. Sheng. Phys. Rev. B 21, 2180 (1980)
  • Y.W. Park, A.J. Heeger, M.A. Druy, A.G. MacDiarmid. J. Chem. Phys. 73, 946 (1980)
  • A.B. Kaiser. Rep. Progr. Phys. 64, 1 (2001)
  • C.L. Chien, S.H. Lioh. J. Non-Cryst. Solids. 61--62, 1119 (1984)
  • L.V. Meisel, P.J. Cote. Phys. Rev. B 30, 1743 (1984)
  • P.Y. Yu, M. Cardona. Fundamentals of semiconductors: physics and materials properties. Springer, Berlin--Heidelberg--N.Y. (2002). 560 p
  • Дж. Слэтер. Диэлектрики, полупроводники, металлы. М.: Мир, (1969). 350 с
  • B.L. Altshuler, A.G. Aronov. In: Electon-electron interaction in disordered system. Modern problems in condensed matter science. North-Holland Physics Publ., (1985). V. 10. 690 p
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.