Журнал технической физики

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Изучение профилей распределения атомов по глубине свободных нанопленочных систем типа Si-Me

Умирзаков Б.Е.¹, Исаханов З.А.¹, Рузибаева М.К.¹, Мухтаров З.Э.¹, Халматов А.С.¹

¹Институт ионно-плазменных и лазерных технологий АН Республики Узбекистан, Ташкент, Узбекистан Institute of Ion-Plasma and Laser Technologies, Uzbekistan Academy of Sciences, Tashkent, Uzbekistan

Institute of Ion-Plasma and Laser Technologies, Uzbekistan Academy of Sciences, Tashkent, Uzbekistan

Email: isakhanov@aie.uz

Поступила в редакцию: 16 апреля 2014 г.

Выставление онлайн: 20 марта 2015 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Приведены результаты по изучению состава, кристаллической структуры и профилей распределения атомов по глубине свободной пленки Cu (100) с поверхностной нанопленкой Si различной толщины. Показано, что при толщине кремниевой пленки d_Si=5.0 nm атомы кремния и меди образуют соединение типа Cu_xSi_y. С ростом толщины (d_Si>5.0 nm) на поверхности силицида формируется пленка кремния. После прогрева на границе Si/Cu образуется переходной слой силицида Cu₂Si₃ толщиной d=8.0-10.0 nm.

Домашевская Э.П., Терехов В.А. и др. // ФТТ. 2013. Т. 55. Вып. 3. С. 577--584
Усейнов Н.Х. // ФТТ. 2013. Т. 55. Вып. 3. С. 602--609
Алиев А.А., Исаханов З.А. // Изв. АН УзССР, сер. физ.-мат. наук. 1987. N 5. С. 82--85
Исаханов З.А. // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. 2013. N 11. С. 91
Исаханов З.А. // ЖТФ. 2012. Т. 82. Вып. 9. С. 116--118
Исаханов З.А., Умирзаков Б.Е., Рузибаева М.К., Курбанов Р. // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. 2011. N 8. С. 1--4
Палатник Л.С., Фукс М.Я., Косевич В.М. Механизм образования и субструктура конденсированных пленок. Наука, 1972
Wakashima K., Fukamachi M., Nagakura S. // J. Appl. Phys. 1969. N 8. P. 1167
Алиев А.А., Арипов Х.А. // РиЭ. 1983. Вып. 10. С. 2014--2020

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель