Вышедшие номера
Моделирование процесса формирования оксидных наноразмерных структур методом локального анодного окисления поверхности металла
Авилов В.И.1, Агеев О.А.1, Блинов Ю.Ф.1, Коноплев Б.Г.1, Поляков В.В.1, Смирнов В.А.1, Цуканова О.Г.1
1Южный федеральный университет, Таганрог, Россия
Email: ageev@sfedu.ru
Поступила в редакцию: 13 марта 2014 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2015 г.

Представлена комплексная модель локального анодного окисления металлов, которая учитывает процессы, происходящие в системе зонд-подложка: в атмосфере сухого воздуха, в парах воды и в пленке воды, адсорбированной на поверхности подложки. Показано, что процесс локального анодного окисления происходит за счет генерации ионов кислорода в результате разложения молекул воды в электрическом поле, при этом доминирующим источником окислителя является пленка адсорбированной на поверхности подложки воды. Результаты численного моделирования процесса локального анодного окисления титана показывают хорошую корреляцию с экспериментальными зависимостями высоты оксидных наноразмерных структур от длительности локального анодного окисления, что подтверждает эффективность разработанной модели. Полученные результаты могут быть использованы при разработке технологических процессов формирования элементов наноэлектроники методом локального анодного окисления.
  1. Cerofolini G. // Springer. 2009. P. 201
  2. Агеев О.А., Солодовник М.С., Рукомойкин А.В., Авилов В.И., Смирнов В.А. // Изв. вузов. Электроника. 2012. N 94. С. 43--50
  3. Агеев О.А., Коноплев Б.Г., Поляков В.В., Сербу Н.И., Смирнов В.А. // Изв. вузов. Электроника. 2010. N 2 (82). С. 23--31
  4. Агеев О.А., Коноплев Б.Г., Поляков В.В., Светличный А.М., Смирнов В.А. // Нано- и микросистемная техника. 2008. N 1 (90). С. 14--16
  5. Lee J.S. // J. Materials Chemistry. 2011. Vol. 21. N 37. P. 14097--14112
  6. Chiu C.C., Yoshimura M., Ueda K. // Diamond and Related Materials. 2009. Vol. 18. P. 355--359
  7. Агеев О.А., Коноплев Б.Г., Поляков В.В., Светличный А.М., Смирнов В.А. // Микроэлектроника. 2007. Т. 36. N 6. С. 403--408
  8. Szot K., Rogala M., Speier W., Klusek Z., Besmehn A., Waser R. // Nanotechnology. 2011. Vol. 22. P. 1--21
  9. Orians A., Clemons C.B., Golovaty D., Young G.W. // Surface Science. 2006. V. 600. N 16. C. 3297--3312
  10. Шевяков В.И. // Изв. ЮФУ. Технические науки. 2011. Т. 117. N 4. С. 35--39
  11. Dagata J.A., Perez-Murano F., Abadal G., Morimoto K., Inoue T., Itoh J. // Appl. Phys. Lett. 2000. Vol. 76. P. 2710--2713
  12. Нанотехнологии в электронике / Под ред. Ю.А. Чаплыгина. М.: Техносфера, 2005. 448 с
  13. Асеев А.Л. Нанотехнологии в полупроводниковой электронике. Новосибирск: Изд-во СО РАН, 2004. 368 с

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.