Методами фотоэлектронной спектроскопии изучен процесс интеркаляции кремния под графен на поверхности Co(0001), сопровождающийся образованием твердого раствора кремния в кобальте и формированием поверхностной кристаллической фазы Co2Si. Показано, что образование силицида приводит к существенному ослаблению гибридизации электронных состояний графена и кобальта и восстановлению дираковского спектра электронных состояний графена вблизи уровня Ферми. Последнее позволило изучить процесс электронного допирования графена на подложке силицида кобальта при осаждении лития на его поверхность. Обнаружено, что легирование литием приводит к значительному переносу заряда на графен. При этом концентрация электронов достигает 3.1·1014 cm-2. Более того, особая форма поверхности Ферми создает благоприятные условия для усиления электрон-фононного взаимодействия, благодаря чему сформированная система может рассматриваться в качестве кандидата для получения сверхпроводимости в однослойном графене. Работа выполнена при поддержке грантами СПбГУ 11.37.634.2013 и 11.50.202.2015, РФФИ 14-02-31150 (мол\_а) и BMBF (грант N 05K12OD3).
V. Dhand, K.Y. Rhee, H.J. Kim, D.H. Jung. J. Nanomater. 2013, 763 953 (2013)
H. Shen, L. Zhang, M. Liu, Z. Zhang. Theranostics 2, 3, 283 (2012)
Ю.Е. Лозовик, С.Л. Огарков, А.А. Соколик. ЖЭТФ 137, 57 (2010)
G. Profeta, M. Calandra, F. Mauri. Nature Phys. 8, 131 (2012)
T. Zhang, P. Cheng, W.-J. Li, Y.-J. Sun, G. Wang, X.-G. Zhu, K. He, L. Wang, X. Ma, X. Chen, Y. Wang, Y. Liu, H.-Q. Lin, J.-F. Jia, Q.-K. Xue. Nature Phys. 6, 104 (2010)
S. Kelty, C. Chen, C. Lieber. Nature 352, 223 (1991)
N. Hannay, T. Geballe, B. Mattias, K. Andres, P. Schmidt, D. Macnair. Phys. Rev. Lett. 14, 225 (1965)
A. Gruneis, C. Attaccalite, A. Rubio, D.V. Vyalikh, S.L. Molodtsov, J. Fink, R. Follath, W. Eberhardt, B. Buchner, T. Pichler. Phys. Rev. B 79, 205 106 (2009)
Z. Tang, L. Zhang, N. Wang, X. Zhang, G. Wen, G. Li, J. Wang, C. Chan, P. Sheng. Science 292, 2462 (2001)
G. Csanyi, P. Littlewood, A. Nevidomskyy, C. Pickard, B. Simons. Nature Phys. 1, 42 (2005)
M. Bianchi, E.D.L. Rienks, S. Lizzit, A. Baraldi, R. Balog, L. Hornekaer, P. Hofmann. Phys. Rev. B 81, 041 403 (2010)
A. Fedorov, N. Verbitskiy, D. Haberer, C. Struzzi, L. Petaccia, D. Usachov, O. Vilkov, D. Vyalikh, J. Fink, M. Knupfer, B. Buchner, A. Gruneis. Nature Commun. 5, 3257 (2014)
O. Vilkov, A. Fedorov, D. Usachov, L.V. Yashina, A.V. Generalov, K. Borygina, N.I. Verbitskiy, A. Gruneis, D.V. Vyalikh. Sci. Rep. 3, 2168 (2013)
J. Kittl, K. Opsomer, C. Torregiani, C. Demeurisse, S. Mertens, D. Brunco, M. Van Dal, A. Lauwers. Mater. Sci. Eng. B 154-155, 144 (2008)
C. Lavoie, F. d'Heurle, C. Detavernier, C. Cabral Jr. Microelectron. Eng. 70, 144 (2003)
J. Lasky, J. Nakos, O. Cain, P. Geiss. IEEE Trans. Electron Dev. 38, 262 (1991)
Silicide technology for integrated circuits / Ed. L. Chen. Institution of Engineering and Technology, London (2004). 279 p
A. Gruneis, K. Kummer, D. V. Vyalikh. New J. Phys. 11, 073 050 (2009)
A. Varykhalov, D. Marchenko, J.Sanchez-Barriga, M.R. Scholz, B. Verberck, B. Trauzettel, T.O. Wehling, C. Carbone, O. Rader. Phys. Rev. X 2, 041 017 (2012)
Y.S. Dedkov, M. Fonin. New J. Phys. 12, 125 004 (2010)
A. Varykhalov, O. Rader. Phys. Rev. B 80, 035 437 (2009)
J. Sanchez-Barriga, A. Varykhalov, M. Scholz, O. Rader, D. Marchenko, A. Rybkin, A. Shikin, E. Vescovo. Diamond Related Mater. 19, 734 (2010)
E. Plummer, J. Shi, S. Tang, E. Rotenberg, S. Kevan. Progr. Surf. Sci. 74, 251 (2003)
T. Valla, J. Camacho, Z.-H. Pan, A.V. Fedorov, A.C. Walters, C.A. Howard, M. Ellerby. Phys. Rev. Lett. 102, 107 007 (2009)
© 2017 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук