Издателям
Вышедшие номера
Зависимость спектров носителей заряда от концентрации дефектов в теллуриде серебра
Алиев Ф.Ф.1, Эминова В.И.1
1Институт физики НАН Азербайджана, Баку, Азербайджан
Email: farzali@physics.ab.az.
Поступила в редакцию: 12 января 2015 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2015 г.

Рассмотрено изменение ширины запрещенной зоны в зависимости от концентрации электрически активных дефектов в телллуриде серебра. Установлено, что электроотрицательные дефекты приводят к увеличению ширины запрещенной зоны varepsilong0, а электроположительные дефекты --- к уменьшению varepsilong0. Выявлено, что в Ag2Te при добавках ≥0.75 аt.% Те величина varepsilong0 оказалась необычно малой (~0.008 eV). Если учесть ее температурную зависимость varepsilong=(0.008-7·10-5T) eV, то при T>100 K имеет место бесщелевое состояние. За счет изменения концентрации электроактивных дефектов теллурид серебра приобретает n- и p-тип проводимости в отличие от другиx халькогенидов серебра (Ag2S и Ag2Sе).
  • Ю.А. Гуревич, Ю.И. Харкац. УФН 136, 4, 693 (1982)
  • S. Miyatani. J. Phys. Soc. Jpn. 13, 4, 341 (1958)
  • R. Dalvin, R. Gill. Phys.Rev. 143, 2, 666 (1966)
  • P. Taylor, C. Wood. J. Appl. Phys. 32, 1, 1 (1961)
  • C. Wood, V. Harrap, W.M. Kane. Phys. Rev. 121, 4, 978 (1961)
  • A. Addel, S. Gromb. J. Phys. Chem. Sol. 44, 2, 95 (1983)
  • А.С. Королева, В.Ю. Мартынов, П.П. Петров. Тез. 2-й Всесоюз. конф. ЧГУ "Материаловедение халькогенидных кислородсодержащих полупроводников". Черновцы (1986). Ч. 2. С. 47
  • H.S. Schnyders, M.-L. Saboung, T.F. Rosenbaum. Appl. Phys. Lett. 76, 1710 (2000)
  • Ф.Ф. Алиев, Э.М. Керимова, С.А. Алиев. ФТП 36, 8, 932 (2002)
  • Ф.Ф. Алиев, М.Б. Джафаров. ФТП 42, 11, 1297 (2008)
  • F.F. Aliev, M.B. Jafarov, V.I. Eminova, G.Z. Asgerova, R.A. Hasanova. Acta. Phys. Pol. A 120, 6, 1061 (2011)
  • Ч.А. Драбкин, Б.Я. Мойжес. ФТП 21, 9, 1715 (1987)
  • Б.М. Аскеров. Кинетические эффекты в полупроводниках. Наука, Л. (1970). 303 с
  • C.M. Fang, R.A. de Groot, G.A. Wigers. J. Phys. Chem. Solids 63, 457 (2002)
  • М.Б. Джафаров, Ф.Ф. Алиев, Р.А. Гасанова, А.А. Саддинова. ФТП 46, 7, 884 (2012)
  • А.Н. Крестовников, Н.М. Махмудова, В.М. Глазов. Изв. АН СССР. Неорган. материалы 4, 615 (1968)
  • A. Van Der Lee, J.I. De Boer. Acta Cryst. C 49, 1444 (1993)
  • H. Rau. J. Phys. Chem. Solids 35, 1553 (1974)
  • K. Weiss, Ber. Runsenges. Phys. Chem. 75, 338 (1969)
  • Г.Б. Абдуллаев, Т.Д. Джафаров. Атомная диффузия в полупроводниковых структурах. Атомиздат, M. (1980). 280 c
  • H. Rau. Solid State Commun. 16, 1041 (1975)
  • С.А. Алиев, Ф.Ф. Алиев. Извес. АН СССР. Неорган. материалы 24, 2, 341 (1988)
  • Ф.Ф. Алиев. Неорган. материалы 38, 10, 1184 (2002)
  • O. Von. Bottger, W. Meister. Ann. Phys. 7. Folge 9, 8, 367 (1962)
  • F. Herman, G.D. Kuglin, K.F. Cuff, R.L. Kortum. Phys. Rev. Lett. 11, 541 (1968)
  • С.А. Алиев. B кн.: Явления переноса заряда и тепла в узкощелевых и бесщелевых полупроводниках. Элм, Баку (2008). 293 с
  • Л.С. Королева, И.Е. Лопатинский, П.П. Петров. Тез. 2-й Всесоюз. конф. ЧГУ "Материаловедение халькогенидных кислородсодержащих полупроводников". Черновцы (1986). Ч. 2. С. 46
  • С.А. Алиев, З.Ф. Агаев, Р.И. Селим-заде. ФТП 42, 12, 1415 (2008)
  • I.M. Tsidilkovskii, M. Girant, T.G. Kharus, E.A. Neifeld. Phys. Status Solidi B 64, 2, 717 (1974)
  • C.T. Elliott, I.I. Spain. Solid State Commun. 8, 24 (1970)
  • A. Manger, J. Friedee. Phys. Rev. 12, 2412 (1975)
  • L. Liu, E. Tosatti. Phys. Rev. Lett. 23, 772 (1969)
  • C.T. Elliot, I. Melngailis, T.C. Harman, I.A. Kafalas, W.C. Kernan. Phys. Rev. B 5, 8, 2985 (1972)
  • Б.Л. Гельмонт. ФТП 9, 10, 1912 (1975)
  • Б.И. Шкловски, А.Л. Эфрос. B кн.: Электронные свойства легированных полупроводников. Наука, М. (1979). 416 с
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.