Физика твердого тела

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Формирование электронной структуры зоны проводимости при осаждении сверхтонких пленок дикарбоксимидзамещенного перилена на поверхность окисленного кремния

Комолов А.С.¹, Лазнева Э.Ф.¹, Герасимова Н.Б.¹, Панина Ю.А.¹, Барамыгин А.В.¹, Овсянников А.Д.¹

¹Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург, Россия St. Petersburg State University, St. Petersburg, Russia

Email: a.komolov@spbu.ru

Поступила в редакцию: 2 февраля 2015 г.

Выставление онлайн: 19 июня 2015 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Приведены результаты исследования электронной структуры зоны проводимости и пограничного потенциального барьера при осаждении сверхтонких пленок дикарбоксимидзамещенного перилена (PTCBI-С₈) на поверхность окисленного кремния. Для проведения измерений использована методика регистрации отражения от поверхности тестирующего пучка медленных электронов, реализованная в режиме спектроскопии полного тока (СПТ) при изменении энергии падающих электронов от 0 до 25 eV. Проведен анализ изменения интенсивностей максимумов, измеряемых СПТ, исходящих от осаждаемой пленки PTCBI-С₈ и от подложки, в процессе увеличения толщины органического покрытия до 7 nm. При сравнении структуры максимумов пленок PTCBI-C₈ и перилен-тетракарбонового диангидрида (PTCDA) удалось выделить энергетический диапазон (на 8-13 eV выше E_F), в котором наблюдаются отчетливые различия в структуре максимумов для пленок PTCDA и PTCBI-C₈. Этот энергетический диапазон соответствует низколежащим sigma^*-состояниям зоны проводимости исследованных пленок. Формирование пограничной области пленки PTCBI-C₈ и подложки (SiO₂)n-Si сопровождалось увеличением значений работы выхода поверхности на 0.6 eV, что соответствует переносу электронной плотности от подложки (SiO₂)n-Si в сторону пленки PTCBI-C₈. Работа выполнена при поддержке грантов СПбГУ (N 11.38.219.2014) и РФФИ (N 14-03-00087а).

J. Min, H. Zhang, T. Stubhan, Y.N. Luponosov, M. Kraft, S.A. Ponomarenko, T. Ameri, U. Scherf, C.J. Brabec. J. Mater. Chem. A 1, 37, 11 306 (2013)
А.Н. Алешин, И.П. Щербаков, И.Н. Трапезникова. ФТТ 56, 2, 399 (2014)
A.Y. Sosorev, O.D. Parashchuk, S.A. Zapunidi, G.S. Kashtanov, D.Y. Paraschuk. J. Phys. Chem. C 117, 14, 6972 (2013)
F. Meng, X. Yan, Y. Zhu, P. Si. Nanoscale Res. Lett. 8, 179 (2013)
F. Babudri, G.M. Farinola, F. Naso, R. Ragni. Chem. Commun. 10, 1003 (2007)
J.L. Bredas, A.J. Heeger. Chem. Phys. Lett. 217, 507 (1994)
I.G. Hill, J. Schwartz, A. Kahn. Organic Electron. 1, 5 (2000)
N. Hiroshiba, R. Hayakawa, T. Chikyow. Phys. Chem. Chem. Phys. 13, 6280 (2011)
F. Wurthner, C. Thalacker, S. Diele, C. Thalacker. Chem. Eur. J. 7, 10, 2245 (2001)
J. Taborski, P. Vaterlein, U. Zimmermann, E. Umbach. J. Electron. Spectrosc. Related. Phenom. 75, 129 (1995)
С.А. Пшеничнюк, А.В. Кухто, И.Н. Кухто, А.С. Комолов. ЖТФ 81, 6, 8 (2011)
A.S. Komolov, S.A. Komolov, E.F. Lazneva, A.A. Gavrikov, A.M. Turiev. Surf. Sci. 605, 1449 (2011)
A.S. Komolov, E.F. Lazneva, S.N. Akhremtchik, N.S. Chepilko, A.A. Gavrikov. J. Phys. Chem. C 117, 24, 12 633 (2013)
A.S. Komolov, P.J. Moller. Synth. Met. 128, 205 (2002)
A.S. Komolov, E.F. Lazneva, S.N. Akhremtchik. Appl. Surf. Sci. 256, 2419 (2010)
S. Heutz, A.J. Ferguson, G. Rumbles, T.S. Jones. Org. Electron. 3, 119 (2002)
I. Bartos. Progr. Surf. Sci. 59, 197 (1998)
S.A. Pshenichnyuk, A.S. Komolov. J. Phys. Chem. A 116, 1, 761 (2012)
A.S. Komolov, E.F. Lazneva, Y.G. Aliaev, S.A. Akhremchik, F.S. Kamounah, J. Mortenson, K. Schaumburg. J. Molec. Struct. 744/747, 145 (2005)
Y. Hirose, C.I. Wu, V. Aristov, P. Soukiassian, A. Kahn. Appl. Surf. Sci. 113/114, 291 (1997).
I. Hill, D. Milliron, J. Schwartz, A. Kahn. Appl. Surf. Sci. 166, 354 (2000)
А.С. Комолов, Э.Ф. Лазнева, C.А. Пшеничнюк, А.А. Гавриков, Н.С. Чепилко, А.А. Томилов, Н.Б. Герасимова, А.А. Лезов, П.С. Репин. ФТП 47, 7, 948 (2013)
A.P. Hitchcock, P. Fischer, A. Gedanken, M.B. Robin. J. Phys. Chem. 91, 531 (1987)
J. Ren, Sh. Meng, Y.-L. Wang, X.-C. Ma, Q.-K. Xue, E. Kaxiras. J. Chem. Phys. 134, 194 706 (2011)
С.А. Комолов, Э.Ф. Лазнева, А.С. Комолов. Письма в ЖТФ 29, 23, 13 (2003)
T. Graber, F. Forster, A. Schoell, F. Reinert. Surf. Sci. 605, 878 (2011)
L. Grzadziel, M. Krzywiecki, H Peisert, T. Chasse, J. Szuber. Org. Electron. 13, 10, 1873 (2012)
A.S. Komolov, P.J. Moller. Appl. Surf. Sci. 244, 573 (2005)
L. Yan, Y. Gao. Thin Solid Films 417, 101 (2002).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель