"Письма в журнал технической физики"
Издателям
Вышедшие номера
Особенности автоэлектронной эмиссии из субмикронных выступов шероховатой поверхности антимонида индия
Михайлов А.И.1, Кабанов В.Ф.1, Жуков Н.Д.1
1Саратовский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского
Email: v7021961@yandex.ru
Поступила в редакцию: 30 декабря 2014 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2015 г.

Проведено исследование механизмов автоэлектронной эмиссии из субмикронных выступов шероховатой поверхности образцов полупроводника InSb. Показано, что механизм тока автоэлектронной эмиссии удовлетворительно описывается теорией Моргулиса-Стрэттона. Интерпретация полученных зависимостей дала возможность считать, что наблюдался эффект низкополевой автоэлектронной эмиссии. Анализ экспериментально полученных туннельных спектров позволил идентифицировать пики зависимости коэффициента нелинейности ВАХ как проявление особенностей энергетического спектра квантово-размерного объекта.
  • Егоров Н.В., Шешин Е.П. Автоэлектронная эмиссия. Принципы и приборы. М.: Интеллект, 2011. 704 с
  • Стеценко Б.В. // ЖТФ. 2011. Т. 81. В. 4. С. 152-154
  • Жуков Н.Д., Глуховской Е.Г. // Нанотехника. 2014. В. 2. С. 127-131
  • Сканирующий зондовый микроскоп. НАНОЭДЬЮКАТОР-I: Руководство по эксплуатации. 2012. Copyright "НТ-МДТ". http://www.ntmdt.ru
  • Миронов В.Л. Основы сканирующей зондовой микроскопии. Российская академия наук. Институт физики микроструктур. Нижний Новгород, 2004. 110 с
  • Кузьменко А.П., Кузько А.Е., Тимаков Д.И. // ЖТФ. 2013. Т. 83. В. 2. С. 91-96
  • Драгунов В.П., Неизвестный И.Г., Гридчин В.А. Основы наноэлектроники: Учебное пособие. М.: Университетская книга; Логос; Физматкнига, 2006. 496 с
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.