Журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2025
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Определение удельного сопротивления вертикально ориентированных углеродных нанотрубок методами сканирующей зондовой микроскопии
1Южный федеральный университет, Институт нанотехнологий, электроники и приборостроения, Таганрог, Россия 
Email: ageev@sfedu.ru
Поступила в редакцию: 1 сентября 2014 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2015 г.
Представлены результаты разработки методик определения удельного и погонного сопротивлений вертикально ориентированных углеродных нанотрубок (ВОУНТ) с использованием методов атомно-силовой микроскопии (АСМ) и сканирующей туннельной микроскопии (СТМ). Представлены результаты экспериментальных исследований сопротивления ВОУНТ на основе разработанных методик. Показано, что значения сопротивления индивидуальной ВОУНТ, рассчитанные с использованием методики на основе метода АСМ, более чем в 200 раз превышают сопротивления ВОУНТ, полученные на основе метода СТМ, что связано с влиянием сопротивления контакта зонда АСМ к ВОУНТ. Погонное и удельное сопротивления индивидуальных ВОУНТ с диаметром 118±39 nm и высотой 2.23±0.37 mum, определенные на основе разработанной методики с использованием метода СТМ, составили 19.28±3.08 kOmega/mum и 8.32±3.18·10-4 Omegam соответственно. Разработанная методика определения удельного и погонного сопротивлений ВОУНТ на основе метода СТМ может быть использована для диагностики электрических параметров ВОУНТ, а также при создании элементов наноэлектроники на основе ВОУНТ.
- Lan Y., Wang Y., Ren Z. // Adv. Phys. 2011. Vol. 60. N 4. P. 553--678
- Lu X.B., Dai J.Y. // Appl. Phys. Lett. 2006. Vol. 88. P. 113 104
- Li H., Banerjee K. // IEEE T. Electron Dev. 2009. Vol. 56. N 10. P. 2202--2214
- Chiodarelli N., Masahito S., Kashiwagi Y., Li Y., Arstila K., Richard O., Cott D.J., Heyns M., Gendt St., Groeseneken G., Vereecken Ph.M. // Nanotechnology. 2011. Vol. 22. P. 085 302
- Ichimura K., Osawa M., Nomura K., Kataura H., Maniwa Y., Suziki S., Achiba Y. // Phys. B. 2002. Vol. 323. P. 230--232
- Агеев О.А., Блинов Ю.Ф., Ильин О.И., Коломийцев А.С., Коноплев Б.Г., Рубашкина М.В., Смирнов В.А., Федотов А.А. // ЖТФ. 2013. Т. 83. Вып. 12. С. 128--133
- Коноплев Б.Г., Агеев О.А., Коломийцев А.С., Смирнов В.А., Сербу Н.И. // Микроэлектроника. 2012. Т. 41. N 1. C. 47--56
- Агеев О.А., Ильин О.И., Коломийцев А.С., Коноплев Б.Г., Рубашкина М.В., Смирнов В.А., Федотов А.А. // Микро- и наносистемная техника. 2012. N 3. С. 9--13
- Ageev O.A., Blinov Yu.F., Ilin O.I., Rubashkina M.V., Smirnov V.A., Fedotov A.A. // Proc. International Symposium "Physics and Mechanics of New Materials and Underwater Applications". Thailand, 2014. P. 12
- Ngo Q., Petranovic D., Krishnan Sh., Cassell A.M., Ye Q., Li J., Meyyappan M., Yang C.Y. // IEEE T. Nanotechnol. 2004. Vol. 3. N 2. P. 311--317
- Kim G., Bernholc J., Kwon Y.-K. // Appl. Phys. Lett. 2010. Vol. 97. P. 063 113
- Won H., Willis R.F. // Surf. Sci. 2010. Vol. 604. P. 491--495
- Чистяков Ю.Д., Баранов В.В., Достанко А.П. // Обзоры по электронной технике. Сер. полупроводниковые приборы. 1973. Вып. 7 (143). С. 364
- Vivo B., Lamberti P., Spinelli G., Tucci V. // Rom. J. Inf. Sci. Tech. 2010. Vol. 13. N 1. P. 33--48
- Fathi D., Forouzandeh B. Carbon Nanotubes / Ed. by J.M. Marulanda. InTech., 2010. P. 275--297
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
