Проведено численное моделирование зарядового состояния структур, состоящих из металлических наночастиц, расположенных в случайном порядке в пределах одного слоя. Рассматривается случай, когда отсутствуют внешние электрические поля и заряды на частицах возникают в результате термостимулированных туннельных переходов электронов между частицами. Для структур с различной объемной долей частиц, при различных значениях диэлектрической проницаемости и температуры окружающей среды, получены значения средней величины и амплитуды флуктуаций плотности заряда, рассчитаны температурные зависимости доли заряженных частиц. Показано, что процессы релаксации заряда существенно различаются в структурах с исходно нейтральными частицами и в исходно перезаряженных структурах, что приводит к различию квазистационарного зарядового состояния таких структур. Работа выполнена при частичной поддержке гранта РФФИ N НК 14-29-04050/14, программы ОФН РАН "Новые материалы и структуры", Министерства образования и науки РФ по cоглашению N 14.613.21.0014.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.