Издателям
Вышедшие номера
Спектры фотолюминесценции тонких пленок ZnO, выращенных по ALD-технологии
Акопян И.Х.1, Давыдов В.Ю.2, Лабзовская M.Э.1, Лисаченко A.A.1, Могунов Я.А.1, Назаров Д.В.3, Новиков Б.В.1, Романычев A.И.3, Серов A.Ю.1, Смирнов А.Н.2, Титов В.В.1, Философов Н.Г.1
1Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3Институт химии Санкт-Петербургского государственного университета, Санкт-Петербург, Россия
Email: bono1933@mail.ru
Поступила в редакцию: 16 апреля 2015 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2015 г.

Исследована фотолюминесценция пленок ZnO, полученных методом атомного наслаивания (ALD) на кремниевые подложки. Обнаружена новая широкая полоса фотолюминесценции в экситонной области спектра. В широком температурном диапазоне изучены ее свойства при различных уровнях возбуждения в спектрах пленок с разной кристаллической ориентацией подложек. Предложена модель, объясняющая природу новой полосы.
  • C. Klingshirn, M. Grundmann, A. Hoffman, B. Meyer, A. Waag. Phys. J. 5, 1, 33 (2008)
  • U. Ozgur, Ya.I. Alivov, C. Liu, A. Teke, M.A. Reshchikov, S. Dogan, V. Avrutin, S.-J. Cho, H. Morkos. J. Appl. Phys. 98, 041 301 (2005)
  • T. Tynell, M. Kappinen. Semicond. Sci. Technol. 29, 1 (2014)
  • T.S. Damen, S.P.S. Porto, B. Nell. Phys. Rev. 142, 570 (1966)
  • H.F. Liu, S. Tripathy, G.X. Hu, H. Gong. J. Appl. Phys. 105, 053 507 (2009)
  • C. Klingshirn, J. Fallert, H. Zhou, J. Sartor, J. Thiele, F. Maier-Flaig, H. Kalt. Phys. Status Solidi B 247, 1424 (2010)
  • G.D. Dow, D. Redfield. Phys. Rev. B 1, 3358 (1970)
  • J. De-Sheng, Y. Makita, K. Ploog, H.J. Queisser. J. Appl. Phys. 53, 2, 999 (1982)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.