"Письма в журнал технической физики"
Издателям
Вышедшие номера
Рост объемных кристаллов AlN методом газофазной эпитаксии из атомарного Al и NH3
Погорельский М.Ю.1, Алексеев А.Н.1, Погорельский Ю.В.1, Шкурко А.П.1
1ЗАО Научное и технологическое оборудование, Санкт-Петербург
Email: michael179p@mail.ru
Поступила в редакцию: 6 февраля 2015 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2015 г.

Опробован новый подход к получению объемных монокристаллов AlN методом газофазной эпитаксии. В качестве ростовых реагентов применяются NH3 и пар Al. Допустимый в лабораторном оборудовании (экспериментальной ростовой установке) диапазон ростовых условий: температуры 1050-1500oC при расходах аммиака до 50 sccm и давлениях порядка 10-5-10-4bar, скорости роста до 200 mu m· h-1. При температуре 1450oC на MBE-темплейтах на основе подложек сапфира диаметром 2'' получены образцы напряженных объемных блочных кристаллов AlN в вюрцитной фазе в направлении [0001] толщиной до 200 mum.
  • Shatalov M., Sun W., Lunev A., Hu X., Dobrinsky A., Bilenko Y., Yang J., Shur M., Gaska R., Moe C., Garrett G., Wraback M. // Appl. Phys. Express V. 5. (2012). P. 082 101
  • Grandusky J.R., Gibb S.R., Mendrick M., Schowalter L.J. // Phys. Stat. Sol. C. V. 8. N 5. P. 1528--1533
  • Wunderer T., Chua C.L., Northrup J.E., Yang Z., Johnson N.M., Kneissl M., Garrett G.A., Shen H., Wraback M., Moody B., Craft H.S., Schlesser R., Dalmau R.F., Sitar Z. // Phys. Stat. Sol. C. 2012. V. 9. N 3--4. P. 822--825
  • Moe C.G., Garrett G.A., Grandusky J.R., Chen J., Rodak L.E., Rotella P., Wraback M., Schowalter L.J. // Phys. Stat. Sol. C. 2014. V. 11. N 3--4. P. 786-789
  • UV LED market report. 2011 edition. Yole Developpement
  • Shatalov M., Sun W., Jain R., Lunev A., Hu X., Dobrinsky A., Bilenko Y., Yang J., Garrett G.A., Rodak L.E., Wraback M., Shur M., Gaska R. // Semicond. Sci. Technol. 2014. V. 29. P. 084 007 (6 p)
  • Shatalov M., Sun W., Jain R., Lunev A., Dobrinsky A., Bilenko Yu., Yang J., Tamulaitis G., Rodak L.E., Garrett G.A., Wraback M., Saxena T., Shur M., Gaska R. // Proc. IWN 2014
  • Karpov S.Yu. // Gallium Nitride Materials and Devices VI / Eds Chyi J.-I., Nanishi Y., Morkoc H., Piprek J., Yoon E., Proc. SPIE. 2011. V. 7939. P. 79391C
  • Compound Semiconductor. July 2014. P. 22--23
  • Mueller S.G., Bondokov R.T., Morgan K.E., Slack G.A., Schujman S.B., Grandusky J., Smart J.A., Schowalter L.J. // Phys. Stat. Sol. A. 2009. V. 206. N 6. P. 1153--1159
  • Compound Semiconductor. June 2013. P. 26
  • Collazo R., Xie J., Gaddy B.E., Bryan Z., Kirste R., Hoffmann M., Dalmau R., Moody B., Kumagai Y., Nagashima T., Kubota Y., Kinoshita T., Koukitu A., Irving D.L., Sitar Z. // Appl. Phys. Lett. 2012. V. 100. P. 191 914
  • Bickermann M., Filip O., Epelbaum B.M., Heimann P., Feneberg M., Neuschl B., Thonke K., Wedler E., Winnacker A. // J. Crystal Growth. 2012. V. 339. P. 13-21
  • Kumagai Y., Yamane T., Koukitu A. // J. Crystal Growth. 2005. V. 281. P. 62--67
  • Melnik Yu., Soukhoveev V., Ivantsov V., Sizov V., Pechnikov A., Tsvetkov K., Kovalenkov O., Dmitriev V., Nikolaev A., Kuznetsov N., Silveira E., Freitas Jr.J. // Phys. Stat. Sol. (a). 2003. V. 200. N 1. P. 22--25
  • Baranov P.G., Mokhov E.N., Ostroumov A.O., Ramm M.G., Ramm M.S., Ratnikov V.V., Roenkov A.D., Vodakov Yu.A., Wolfson A.A., Saparin G.V., Karpov S.Yu., Zimina D.V., Makarov Yu.N., Juergensen H. // MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 1998. V. 3. P. 50
  • Vodakov Yu.A., Mokhov E.N., Roenkov A.D., Boiko M.E., Baranov P.G. // J. Crystal Growth. 1998. V. 183. P. 10--14
  • Yang S.H., Nahm K.S., Hahn Y.B., Lee Y.S., Jeong M.S., Suh E.-K. // J. Korean Phys. Soc. 2000. V. 36. N 3. March 2000. P. 182--187
  • Petrov S.I., Alexeev A.N., Krasovitsky D.M., Chaly V.P., Mamaev V.V. // Molecular Beam Epitaxy Workshop Book of Abstracts Nara. 2012
  • Lu P., Collazo R., Dalmau R.F., Durkaya G., Dietz N., Raghothamachar B., Dudley M., Sitar Z. // J. Crystal Growth. 2009. V. 312. P. 58--63
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.