Картирование интенсивности излучения лазерного диода методом атомно-силовой микроскопии
Алексеев П.А., Дунаевский М.С., Слипченко С.О., Подоскин А.А., Тарасов И.С.
Поступила в редакцию: 26 марта 2015 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2015 г.
Исследовано распределение интенсивности излучения лазерного диода по оригинальной методике, основанной на атомно-силовой микроскопии. Показана возможность картирования интенсивности излучения в ближнем поле и переходной зоне мощного полупроводникового лазера в комнатных условиях с субволновым пространственным разрешением. Полученные картины распределения интенсивности согласуются с данными моделирования и результатами, полученными ближнепольной оптической микроскопией.
- Lucas M., Reido E. // Rev. Sci. Instrum. 2012. V. 83. P. 061 101 (35 p.)
- Dunaevskiy M.S., Alekseev P.A., Baranov A.N. et al. // Appl. Phys. Lett. 2013. V. 103. P. 053 120 (4 p.)
- Dunaevskiy M., Dontsov A., Alekseev P. et al. // Appl. Phys. Lett. 2015. V. 106. P. 171 105 (5 p.)
- Слипченко С.О., Бондарев А.Д., Винокуров Д.А. и др. // ФТП. 2009. Т. 43. В. 1. С. 119--123
- Ankudinov A.V., Yanul M.L., Slipchenko S.O. et al. // Optics Express. 2014. V. 22 (21). P. 26438--26448
- Слипченко С.О., Винокуров Д.А., Пихтин Н.А. и др. // ФТП. 2004. Т. 38. В. 12. С. 1477--1486
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук