Письма в журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2025
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Моделирование процесса отклонения релятивистских электронов изогнутым кристаллом кремния
Кощеев В.П.1, Штанов Ю.Н.2, Моргун Д.А.3, Панина Т.А.3
1НИУ МАИ, филиал "Стрела", Жуковский Московской обл.
2Тюменский государственный нефтегазовый университет, филиал Сургутского института нефти и газа, Сургут
3Сургутский государственный университет, Сургут, Россия
2Тюменский государственный нефтегазовый университет, филиал Сургутского института нефти и газа, Сургут
3Сургутский государственный университет, Сургут, Россия
Email: kosheevl@yandex.ru
Поступила в редакцию: 5 мая 2015 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2015 г.
Моделирование процесса отклонения электронов с энергией 855 MeV и 6.3 GeV в плоскостных (111) каналах изогнутого кристалла кремния выполнено с помощью компьютерной программы TROPICS с атомным коэффициентом диффузии. Атомный коэффициент диффузии каналированных частиц построен в Дойль-Тернеровском приближении потенциала изолированного атома. Показано, что атомный коэффициент диффузии стремится к минимальному значению в области максимальной ядерной плотности атомной цепочки там, где коэффициент диффузии Китагавы-Оцуки достигает своего наибольшего значения.
- Mazzolari A. et al. // Phys. Rev. Lett. 2014. V. 112. P. 135 503
- Wienands U. et al. // Phys. Rev. Lett. 2015. V. 114. P. 074 801
- http://wwwinfo.jinr.ru/programs/jinrlib/tropics/index.html
- Kitagawa M., Ohtsuki Y.H. // Phys. Rev. В. 1973. V. 8. N 7. P. 3117--3123
- Линдхард Й. // УФН. 1969. Т. 99. В. 2. С. 249--296
- Кощеев В.П. // Изв. вузов. Физика. 1997. N 8. С. 32--37
- Кощеев В.П., Моргун Д.А., Панина Т.А. // Стохастическая динамика эффекта каналирования в кристаллах и нанотрубках: монография. Ханты-Мансийск: Полиграфист, 2008. 100 с
- Кощеев В.П., Моргун Д.А., Панина Т.А. // Изв. РАН. Сер. Физ. 2009. Т. 73. N 11. С. 1586--1590
- Ольховский И.И., Садыков Н.М. // Труды 10 Всесоюзного совещания по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами. Ч. 1. М.: Изд-во МГУ, 1980. С. 173
- Базылев В.А., Жеваго Н.К. Излучение быстрых частиц в веществе и во внешних полях. М.: Наука, 1987. 269 с
- Кощеев В.П., Моргун Д.А., Штанов Ю.Н. // Письма в ЖТФ. 2013. Т. 39. В. 20. С. 77--86
- Marsaglia G., Bray T.A. // SIAM Rev. 1964. V. 6. N 3. P. 260--264
- Doyle P.A, Turner P.S. // Acta Cryst. A. 1968. V. 24. P. 390--397
- Боресков А.В., Харламов А.А. Основы работы с технологией CUDA. М.: ДМК Пресс, 2010. 232 с
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
