Издателям
Вышедшие номера
Инфракрасная спектроскопия слоев карбида кремния, синтезированных методом замещения атомов на поверхности монокристаллического кремния
Грудинкин C.А.1,2, Голубев В.Г.1, Осипов А.В.2,3, Феоктистов Н.А.1,3, Кукушкин С.А.2,3
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики, Санкт-Петербург, Россия
3Институт проблем машиноведения РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: sergey.a.kukushkin@gmail.com
Поступила в редакцию: 8 июня 2015 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2015 г.

Представлены результаты исследования методом инфракрасной (ИК) спектроскопии эпитаксиальных слоев карбида кремния, выращенных методом замещения атомов на поверхности монокристаллического кремния. В ИК-спектрах наблюдается полоса при 798 cm-1, соответствующая ТО-фонону в решетке карбида кремния. Определены параметры разупорядоченного карбида кремния, находящегося на поверхности пор между эпитаксиальным карбидом кремния и подложкой кремния. В ИК-спектрах карбида кремния обнаружена полоса в области 960 cm-1. Предложена гипотеза, согласно которой данная полоса соответствует энергии предсказанного ранее теоретически упругого диполя --- упруго взаимодействующих атома углерода в межузельной позиции и кремниевой вакансии. С.А. Кукушкин, А.В. Осипов, Н.А. Феоктистов благодарят за финансовую поддержку Российский научный фонд (грант N 14-12-01102).
  • S.A. Kukushkin, A.V. Osipov. J. Phys. D 47, 313 001 (2014)
  • С.А. Кукушкин, А.В. Осипов, Н.А. Феоктистов. ФТТ 56, 1457 (2014)
  • С.А. Кукушкин, А.В. Осипов, Н.А. Феоктистов. Рос. хим. журн. 57, 6, 36 (2013)
  • L. Dong, G. Sun, L. Zheng, X. Liu, F. Zhang, G. Yan, W. Zhao, L. Wang, X. Li, Z. Wang. J. Phys. D 45, 245 102 (2012)
  • J.E. Spanier, I.P. Herman. Phys. Rev. B 61, 10 437 (2000)
  • J.A.A. Engelbrecht, I.J. van Rooyen, A. Henry, E. Janzen, E.J. Olivier. Physica B 407, 1525 (2012)
  • M.F. Mac Millan, R.P. Devaty, W.J. Choyke, D.R. Goldstein, J.E. Spanier, A.D. Kurtz. J. Appl. Phys. 80, 2412 (1996)
  • O. Pluchery, J.-M. Costantini. J. Phys. D 45, 495 101 (2012)
  • И.К. Бейсембетов, К.Х. Нусупов, Н.Б. Бейсенханов, С.К. Жариков, Б.К. Кенжалиев, Т.К. Ахметов, Б.Ж. Сеитов. Вестн. Нижегород. ун-та им. Н.И. Лобачевского 4, 42 (2013)
  • M.D. Sciacca, A.J. Mayur, E. Oh, A.K. Ramdas, S. Rodriguez, K. Furdyna, M.R. Melloch, C.P. Beetz, W.S. Yoo. Phys. Rev. B 51, 7744 (1995)
  • К. Борен, Д. Хафмен. Поглощение и рассеяние света малыми частицами. Мир, М. (1986). 664 с
  • Y. Chen, Y. Francescato, J.D. Caldwell, V. Giannini, T.W.W. Mab, O.J. Glembocki, F.J. Bezares, T. Taubner, R. Kasica, M. Hong, S.A. Maier. ACS Photonics 1, 718 (2014)
  • D. Li, N.M. Lawandy, R. Zia. Opt. Express 21, 20 903 (2013)
  • T.S. Perova, J. Wasyluk, S.A. Kukushkin, A.V. Osipov, N.A. Feoktistov, S.A. Grudinkin. Nanoscale Res. Lett. 5, 1507 (2010)
  • H. Mutschke, A.C. Andersen, D. Clement, Th. Henning, G. Peiter. Astron. Astrophys. 345, 187 (1999)
  • H.J. Hrostowski, R.H. Kaiser. Phys. Rev. 107, 966 (1957)
  • F.A. Johnson. Proc. Phys. Soc. 73, 265 (1959)
  • R.T. Holm, P.H. Klein, P.E.R. Nordquist, jr. J. Appl. Phys. 60, 1479 (1986)
  • H. Hobert, H.H. Dunken, G. Peiter, W. Stier, M. Diegel, H. Stafast. Appl. Phys. A 69, 69 (1999)
  • D.W. Berreman. Phys. Rev. 130, 2193 (1963)
  • С.А. Кукушкин, А.В. Осипов. Изв. РАН. Механика твердого тела 2, 122 (2013)
  • В.К. Вайнштейн, В.М. Фридкин, В.Л. Инденбом. Современная кристаллография. Наука, М. (1979). Т. 2. 360 с
  • C.A. Londos, M.S. Potsidi, E. Stakakis. Physica B 340--342, 551 (2003)
  • М. Борн, Э. Вольф. Основы оптики. Наука, М. (1973). 720 с
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.