Вышедшие номера
Модификация диоксида кремния электронным пучком
Бакалейников Л.А.1, Заморянская М.В.1, Колесникова Е.В.1, Соколов В.И.1, Флегонтова Е.Ю.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: zam@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 13 октября 2003 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2004 г.

Получена оценка температуры перегрева микрообъема диоксида кремния под воздействием пучка электронов высокой удельной мощности. Расчеты показали, что при токе электронного пучка 100 nA максимальная температура перегрева микрообъема диоксида кремния может достигать 1200oC. Проведено исследование изменения катодолюминесцентных свойств аморфного диоксида кремния с различным содержанием гидроксильных групп при различной удельной мощности электронного пучка. Показано, что под воздействием электронного пучка высокой удельной мощности возникают дополнительные структурные дефекты вплоть до образования кластеров кремния. Работа была выполнена в рамках проекта Российского фонда фундаментальных исследований (грант N 03-02-16621).
  1. G. Allan, C. Delerue, M. Lannoo. Phys. Rev. Lett. 78, 16, 3161 (1997)
  2. L.N. Skula, A.R. Silin. Phys. Stat. Sol. (a) 70, 43 (1982)
  3. C. Delerue, G. Allan, M. Lannoo. J. Lumin. 80, 65 (1999)
  4. H.-G. Fitting, T. Barfles, A.N. Trukhin, B. Schmidt, A. Gulans, A. von Czarnowsky. J. Non-Cryst. Solid. 303, 218 (2002)
  5. L.N. Skuja, A.N. Streletsky, A.B. Pakovich. Solid State Commun. 50, 12, 1069 (1984)
  6. М.С. Бреслер, И.Н. Яссиевич. Физика и техника полупроводников 27, 5, 871 (1993)
  7. M. Takeguchi, K. Furuya, K. Yoshinara. Jpn. J. Appl. Phys. 38, 12B, 7140 (1999)
  8. С.К. Обыден, Г.А. Перловский, Г.В. Сапарин, С.И. Попов. Изв. АН СССР. Сер. физ. 48, 12, 2374 (1984)
  9. Л.А. Бакалейников, Е.В. Галактионов, В.В. Третьяков, Э.А. Тропп. ФТТ 43, 5, 779 (2001)
  10. E.D. Palik. Handbook of Optical Constants of Solids II. Academic Press, N. Y. (1991). 1086 c
  11. Z.-J. Ding, R. Shimizu. Surf. Sci. 222, 313 (1989)
  12. Н.А. Колобов, М.М. Самохвалов. Диффузия и окисление в полупроводниках. Металлургия, М. (1975). 454 с
  13. R. Castaing. Thesis Universite de Paris (1951)
  14. М.В. Заморянская, А.Н. Заморянский, И.А. Вайншенкер. ПТЭ 4, 192 (1987)
  15. M.V. Zamoryanskaya, V.I. Sokolov. Mater. Res. So. Proc., Quantum Conf. Semicond. Nanostruct; 737, F3.40 (2003)
  16. M.V. Zamoryanskaya, V.I. Sokolov, A.A. Sytnikova. Solid State Phenomena 78--79, 349 (2001)
  17. М.В. Заморянская, В.Н. Богомолов, С.А. Гуревич, В.И. Соколов, А.А. Ситникова, И. Смирнова. ФТТ 43, 2, 357 (2001)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.