Издателям
Вышедшие номера
Теория переключения многоосных сегнетоэлектриков (начальная стадия)
Захаров М.А.1, Кукушкин С.А.2, Осипов А.В.2
1Новгородский государственный университет, Великий Новгород, Россия
2Институт проблем машиноведения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
Email: ksa@math.ipme.ru
Поступила в редакцию: 24 ноября 2003 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2004 г.

В рамках классической теории зарождения-роста исследуются термодинамика и кинетика переключения многоосных сегнетоэлектриков. Изучена начальная стадия переключения 180o и 90o доменов в тетрагональной, ромбической и тригональной фазах. На основании многомерной кинетической теории фазовых переходов первого рода описана начальная стадия переключения сегнетоэлектрических кристаллов в самом общем случае, когда существует трехмерный рост (по радиусу и высоте) переполяризованных доменов. Получено выражение для работы образования зародыша в окрестности седловой точки активационного барьера в пространстве размеров и форм, найдено выражение, описывающее зависимость критического размера домена от величины переключающего поля. С помощью известной процедуры двумерное кинетическое уравнение Фоккера--Планка сведено к одномерному уравнению Зельдовича, получено стационарное решение уравнения Зельдовича, выведены коэффициенты диффузии в пространстве размеров при нормальном и послойном механизмах доменного роста и найдена основная характеристика начальной стадии переключения --- стационарный поток переполяризованных доменов как функция приложенного поля. Работа выполнена при частичной поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (проект N 03-01-00574), Российского центра "Интеграция" (проекты N А0151 и Б0056), программы "Управление нелинейными механическими системами в условиях неопределенности и хаоса" (проект N 19), гранта Минпромнауки (проект N 40.010.1.1195), государственный контракт N НФМ-1/03, НШ-2288.2003.1, программы "Университеты России" (проект N УР.01.01.024) и программы РФФИ-NWO (проект N 047.011.2001.011).
  • С.А. Кукушкин, А.В. Осипов. ФТТ 43, 1, 80; 1, 88; 2, 312 (2001)
  • С.А. Кукушкин, М.А. Захаров. ФТТ 44, 2, 332; 12, 2193 (2002)
  • В.А. Шнейдман. ЖЭТФ 91, 2(8), 520 (1986)
  • Ф.М. Куни, А.А. Мелихов. ТМФ 81, 2, 247 (1989)
  • С.А. Кукушкин, А.В. Осипов. ФТТ 36, 5, 1258 (1994)
  • Б.А. Струков, А.П. Леванюк. Физические основы сегнетоэлектрических явлений в кристаллах. Наука, М. (1995). 304 с
  • Л.Д. Ландау, Е.М. Лифшиц. Теоретическая физика. Т. 8. Электродинамика сплошных сред. Наука, М. (1982). 624 с
  • Я.Б. Зельдович. ЖЭТФ 12, 11/12, 525 (1942)
  • Ф. Иона, Д. Ширане. Сегнетоэлектрические кристаллы. Мир, М. (1965)
  • Дж. Барфут. Введение в физику сегнетоэлектрических явлений. Мир, М. (1979). 352 с
  • M. Hayashi. J. Phys. Soc. Jap. 33. 616 (1972)
  • E.V. Burtsev, S.P. Chervonobrodov. Ferroelectrics 45, 97 (1982)
  • M. Molotskii, R. Kris, G. Rosenmann. J. Appl. Phys. 88, 9, 5318 (2000)
  • A.K. Tagantsev, I. Stolichnov, E.L. Colla, N. Setter. J. Appl. Phys. 90, 3, 1387 (2001)
  • R.E. Nettleton. J. Appl. Phys. 38, 7, 2775 (1967)
  • А.С. Сонин, Б.А. Струков. Введение в сегнетоэлектричество. Высш. шк., М. (1970). 270 с
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.