"Письма в журнал технической физики"
Издателям
Вышедшие номера
Микроволновый криогенный малошумящий гетероструктурный SiGe усилитель
Иванов Б.И.1, Grajcar M.2,3, Новиков И.Л.1, Вострецов А.Г.1, Ильичев E.1,4
1Новосибирский государственный технический университет, Новосибирск, Россия
2Department of Experimental Physics, Comenius University, S Bratislava, Slovakia
3Institute of Physics, Slovak Academy of Science, 845 11 Bratislava, Slovakia
4Leibniz Institute of Photonic Technology, P.O. Box, Jena, Germany
Email: boris_ivanov@ngs.ru
Поступила в редакцию: 20 ноября 2015 г.
Выставление онлайн: 20 марта 2016 г.

Для измерения слабых микроволновых сигналов в субкельвиновых температурах был разработан малошумящий криогенный усилитель. Основу усилителя составляют пять каскадов на основе SiGe биполярных гетероструктурных транзисторов. Усилитель имеет коэффициент усиления 35 dB в полосе частот от 100 MHz до 4 GHz при рабочей температуре 800 mK. В качестве примера применения усилителя приводятся характеристики сверхпроводникового квантового бита, измеренные на основе разработанного усилителя в режиме сверхмалой мощности. Показана амплитудно-частотная характеристика структуры сверхпроводниковый кубит-копланарный резонатор. Приведена характеристика основного состояния кубита в квазидисперсном режиме измерения.
  • Schleeh J., Alestig G., Halonen J. et al. // IEEE Electr. Dev. Lett. 2012. V. 33. N 5. P. 664--666
  • Wadefalk N., Mellberg A., Angelov I. et al. // IEEE Trans. Microwave Theor. Tech. 2003. V. 51. N 6. P. 1705
  • Pospieszalski M.W., Weinreb S. et al. // IEEE Trans. Microwave Theor. Techn. 1988. V. 36. N 3. P. 552--560
  • Oukhanski N., Grajcar M., Il'ichev E. et al. // Rev. Sci. Instrum. 2003. V. 74. N 2. 1145
  • Wuensch S., Ortlepp Th., Crocoll E. et al. // IEEE Trans. Appl. Supercond. 2004. V. 19. N 3. P. 574
  • Kiviranta M. // Supercond. Sci. Technol. 2006. V. 19. P. 1297--1302
  • Thrivikraman T.K., Yuan J., Bardin J.C. et al. //. IEEE Microwave Wireless Comps. Lett. 2008. V. 18. N 7. P. 476
  • Ivanov B.I., Trgala M., Grajcar M. et al. // Rev. Sci. Instrum. 2011. V. 82. 104 705
  • Lee J., Cressler J. // IEEE Trans. Microwave Theor. Techn. 2006. V. 54. N 3. P. 1262--1268
  • Bardin J.C., Weinreb S. // IEEE Microwave and Wireless Comps. Lett. 2009. V. 19. N 6. P. 407
  • Berger O. // The International Conference on Compound Semiconductor Manufacturing Technology 1999. http://www.gaas.org/Digests/1999/PDF/59.pdf
  • Macha P., van der Ploeg S.H.W., Oelsner G. et al. // Appl. Phys. Lett. 2010. V. 96. 062 503
  • Oelsner G., van der Ploeg S.H.W., Macha P. et al. // Phys. Rev. B. 2010. V. 81. 172 505
  • Greenberg Ya.S., Izmalkov A., Grajcar M. et al. // Phys. Rev. B. 2002. V. 66. 224 511
  • Grajcar M., Izmalkov A., Il'ichev E. // Phys. Rev. B. 2005. V. 71. 144 501
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.