Физика твердого тела
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Морфология поверхности и рамановская спектроскопия тонких слоев халькогенидов висмута и сурьмы
Лукьянова Л.Н.
1, Бибик А.Ю.
2, Асеев В.А.
2, Усов О.А.
1, Макаренко И.В.
1, Петров В.Н.
1, Никоноров Н.В.
2, Кутасов В.А.
1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
2Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
2Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
Email: lidia.lukyanova@mail.ioffe.ru, anastasiya.bibik@list.ru, aseev@io.itmo.ru, oleg.usov@mail.ioffe.ru, Igor.Makarenko@mail.ioffe.ru, krishkis@i.ua, Nikonorov@oi.ifmo.ru, v.kutasov@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 7 декабря 2015 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2016 г.
Проведены исследования фононных спектров методом микрорамановской спектроскопии и морфологии межслоевой ван-дер-ваальсoвой поверхности (0001) полуконтактным методом атомно-силовой микроскопии при комнатной температуре в тонких слоях теллурида висмута и твердых растворах Bi2-xSbxTe3-ySey различного состава, относящихся к классу трехмерных топологических изоляторов. Анализ рамановских спектров и отношений интенсивностей активных и неактивных продольных оптических мод в зависимости от состава, морфологии межслоевой поверхности и толщины слоев позволил оценить влияние топологических поверхностных состояний дираковских фермионов, связанное с усилением электрон-фононного взаимодействия вследствие резонансного рамановского рассеяния, и определить составы, в которых вклад топологических поверхностных состояний становится доминирующим. Финансовая поддержка исследований частично получена в рамках проекта РФФИ N 13-08-00307.
- M.Z. Hasan, C.L. Kane. Rev. Mod. Phys. 82, 3045 (2010)
- Y.L Chen, J.G. Analytis, J.-H. Chu, Z.K. Liu, S.K. Mo, X.L. Qi, H.J. Zhang, H. Lu, X. Dai, Z.S. Fang, S.C. Zhang, I.R. Fisher, Z. Hussain, Z.-X. Shen. Science 325, 178 (2009)
- K.M.F. Shahil, M.Z. Hossain, D. Teweldebrhan, A.A. Balandin. Appl. Phys. Lett. 95 153 103 (2010)
- D. Teweldebrhan, V. Goyal, A.A. Balandin. Nano Lett. 10, 1209 (2010)
- L. Plucinski, A. Herdt, S. Fahrendorf, G. Bihlmayer, G. Mussler, S. Doring, J. Kampmeier, F. Matthes, D.E. Burgler, D. Grutzmacher, S. Blugel, C.M. Schneider. J. Appl. Phys. 113, 053 706 (2013)
- D.X. Qu, Y.S. Hor, J. Xiong, R.J. Cava, N.P. Ong. Science 329, 821 (2010)
- Л.Н. Лукьянова, Ю.А. Бойков, В.А. Данилов, О.А. Усов, М.П. Волков, В.А. Кутасов. ФТТ 56, 907 (2014)
- H. Qiao, J. Yuan, Z. Xu, C. Chen, S. Lin, Y. Wang, J. Song, Y. Liu, Q. Khan, H.Y. Hoh, C.-X. Pan, S. Li, Q. Bao. ACS Nano 9, 1886 (2015)
- J. Lee, J. Koo, Y.M. Jhon, J.H. Lee. Opt. Express 22, 6165 (2014)
- Y. Chen. Proc. SPIE 8373, 83730B (2012)
- Y. Chen. Surface excitonic thermoelectric devices. Patent US 20120138115. Pub. date: Jun. 7 2012
- И.В. Коробейников, Л.Н. Лукьянова, Г.В. Воронцов, В.В. Щенников, В.А. Кутасов. ФТТ 56, 263 (2014)
- S.V. Ovsyannikov, N.V. Morozova, I.V. Korobeinikov, L.N. Lukyanova, A.Y. Manakov, A.Y. Likhacheva, A.I. Ancharov, A.P. Vokhmyanin, I.F. Berger, O.A. Usov, V.A. Kutasov, V.A. Kulbachinskii, T. Okada, V.V. Shchennikov. Appl. Phys. Lett. 106, 143 901 (2015)
- К.С. Лузгин, В.А. Кутасов, Л.Н. Лукьянова. Сб. докл. VIII Межгосударств. семинара "Термоэлектрики и их применения". ФТИ, СПб (2002). С. 275--280
- W. Cheng, S.F. Ren. Phys. Rev. B 83, 094 301 (2011)
- R.M. Martin. Phys. Rev. B 4, 3676 (1971)
- D. Pietro, M. Ortolani, O.A. Limaj, A. Di Gaspare, V. Giliberti, F. Giorgianni, M. Brahlek, N. Bansal, N. Koirala, S. Oh, P. Calvani, S. Lupi. Nature Nanotechnol. 8, 556 (2013)
- Yu.D. Glinka, S. Babakiray, T.A. Johnson, D. Lederman. J. Phys.: Condens. Matter 27 052 203 (2015)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
