Оптимизирован рост графена путем термического разложения карбида кремния при температуре ~1400oC в условиях вакуума ~10-6 Torr. С использованием рамановской спектроскопии проведена оценка средней толщины полученного графена (2-4 монослоя) и продемонстрировано наличие высококачественных участков графена в исследуемых образцах. Установлено, что четырехконтактное сопротивление графена возрастает в области его интерфейса с водой примерно на 25%. Для интерфейса графена с водой в транзисторной геометрии при изменении напряжения между затвором и истоком обнаружен полевой эффект, соответствующий дырочному типу носителей заряда в графене. Работа частично поддержана проектами РФФИ (14-02-01212) и РНФ (15-12-00027).
Y. Zhang, T. Tang, C. Girit, Z. Hao, M.C. Martin, A. Zettl, M.F. Crommie, Y.R. Shen, F. Wang. Nature 459, 820 (2009)
А.В. Бутко, В.Ю. Бутко. ФТТ 57, 1031 (2015)
С.Ю. Давыдов. ФТТ 56, 816 (2014)
A.V. Babichev, V.E. Gasumyants, V.Y. Butko. J. Appl. Phys. 113, 076 101 (2013)
А.В. Бабичев, В.Ю. Бутко, М.С. Соболев, Е.В. Никитина, Н.В. Крыжановская, А.Ю. Егоров. ФТП 46, 815 (2012)
J.L. Achtyl, I.V. Vlassiouk, P.F. Fulvio, S.M. Mahurin, S. Dai, F.M. Geiger. J. Am. Chem. Soc. 135, 979 (2013)
P.K. Ang, W. Chen, A.T. Shen Wee, K.P. Loh. J. Am. Chem. Soc. 130, 14 392 (2008)
W. Fu, C. Nef, O. Knopfmacher, A. Tarasov, M. Weiss, M. Calame, C. Schonenberger. Nano Lett. 11, 3597 (2011)
M.H. Lee, B.J. Kim, K.H. Lee, I.S. Shin, W. Huh, J.H. Cho, M.S. Kang. Nanoscale 7, 7540 (2015)
A.C. Ferrari, J.C. Meyer, V. Scardaci, C. Casiraghi, M. Lazzeri, F. Mauri, S. Piscanec, D. Jiang, K.S. Novoselov, S. Roth, A.K. Geim. Phys. Rev. Lett. 97, 187 401 (2006)
A. Reina, X. Jia, J. Ho, D. Nezich, H. Son, V. Bulovic, M.S. Dresselhaus, J. Kong. Nano Lett. 9, 30 (2009)
М.А. Pimenta, G. Dresselhaus, M.S. Dresselhaus, L.G. Cancado, A. Jorio, R. Saito. Phys. Chem. Chem. Phys. 9, 1276 (2007)
V. Podzorov, V.M. Pudalov, M.E. Gershenson. Appl. Phys. Lett. 82, 1739 (2003)
V.Y. Butko, X. Chi, D.V. Lang, A.P. Ramirez. Appl. Phys. Lett. 83, 4773 (2003)
V.Y. Butko, X. Chi, A.P. Ramirez. Solid State Commun. 128, 431 (2003)
L.H. Hess, M.V. Hauf, M. Seifert, F. Speck, T. Seyller, M. Stutzmann, I.D. Sharp, J.A. Garrido. Appl. Phys. Lett. 99, 033 503 (2011)
T. Feng, D. Xie, G. Li, J. Xu, H. Zhao, T. Ren, H. Zhu. Carbon 78, 250 (2014)